Gradient Impedance Matching MOS Capacitors 220 pF 30V Chip para cadeias de sinais RF de banda ultra larga

HGM221S30V220 Impedância de gradiente correspondente ao condensador MOS 220 pF 30V Ultra-banda larga

Em resumo:O HGM221S30V220 é um capacitor MOS de camada única de 220 pF, 30 V construído em silício de zona flutuante de alta resistividade com um dielétrico SiO2 cultivado termicamente.Sua interface de impedância gradiente suaviza a transição para o circuito circundante para que o capacitor mantenha uma resposta consistente em uma faixa de banda ultra larga, e também mantém consistência de fase de sub-grau entre os elementos para uso de matriz.

Factos-chave

Construção da camada de correspondência de impedância do gradiente

A camada correspondente é fabricada como parte do processo de wafer, entre a interface dielétrica e o elétrodo, usando uma sequência graduada de camadas.o perfil pode ser ajustado por projeto para colocar a transição onde o circuito circundante precisaIsto mantém a correspondência integrada no componente em vez de exigir elementos de correspondência externos.

• Capa graduada definida litograficamente
• Perfil ajustável por projeto
• Não são necessários elementos de correspondência externos

Consistência de fase de subgrado para a formação de feixes

Além da sua interface de banda larga, a peça mantém consistência de fase de sub-grado entre os elementos, de modo que pode ser usada em canais de matriz sem corte de fase por elemento.Tolerância de capacidade é ±5% padrão (±2% mediante pedido), a característica C-V é linear de 0 V a 30 V, e o dielétrico amorfo SiO2 não envelhece, de modo que o termo de fase permanece estável ao longo da temperatura e do tempo.

• Consistência de fase de elemento para elemento numa janela de sub-grado
• C-V linear de 0 V a 30 V: fase estável versus distorção
• SiO2 não ferroelétrico: fase estável vs temperatura e tempo

Aplicações

• Acoplamento RF de banda ultralarga e bloqueio de CC
• Canais de matriz de fases e de formação de feixe que requerem fase combinada
• Desvio de banda larga e desconexão de abastecimento
• Módulos front-end 5G e 6G
• Comunicação por satélite
• Instrumentos de ensaio e medição que necessitem de baixa reflexão numa banda larga