HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी |
संक्षेप में:HGM221S30V220 एक 220 pF, 30 V एकल-परत एमओएस कैपेसिटर है जो एक थर्मल रूप से उगाए गए SiO2 डाइलेक्ट्रिक के साथ उच्च प्रतिरोधता फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर बनाया गया है।इसके ग्रेडिएंट प्रतिबाधा इंटरफ़ेस आसपास के सर्किट के लिए संक्रमण को चिकनी करता है ताकि कैपेसिटर अल्ट्रा-वाइडबैंड रेंज पर एक सुसंगत प्रतिक्रिया बनाए रखे, और यह सरणी के उपयोग के लिए तत्वों के बीच उप-डिग्री चरण स्थिरता भी रखता है। कस्टम क्षमता मान और इंटरफ़ेस प्रोफाइल उपलब्ध हैं।
| पद | मूल्य |
| ब्रांड | होन |
| मॉडल | HGM221S30V220 |
| श्रेणी | एमओएस संधारित्र |
| क्षमता | 220 पीएफ ± 5% (अनुरोध पर ± 2%) |
| नामित डीसी वोल्टेज | 30 वी |
| डायलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, पैराइलेक्ट्रिक (300 एनएम) |
| इंटरफेस | ढाल प्रतिबाधा मिलान परत (वेफर-परिभाषित) |
| चरण स्थिरता | उप-ग्रेड, तत्व से तत्व तक |
| प्रयोग करने योग्य बैंडविड्थ | डीसी से 40 गीगाहर्ट्ज तक (सामान्य) |
| समाप्ति | तार बंधन या फ्लिप-चिप माइक्रो-बंप |
| चिप का आकार | 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C से +125 °C |
| मूल स्थान | शांक्सी, चीन |
| प्रमाणन | आईएसओ 9001:2015RoHS |
| एमओक्यू | 10 टुकड़े |
| लीड टाइम | स्टॉक के लिए 5-7 कार्यदिवस, उत्पादन के लिए 3-4 सप्ताह |
मिलान की परत एक भाग के रूप में निर्मित किया जाता है वेफर प्रक्रिया, dielectric इंटरफेस और इलेक्ट्रोड के बीच, परतों के एक ग्रेडेड अनुक्रम का उपयोग कर. क्योंकि यह लिथोग्राफिक रूप से परिभाषित है,प्रोफाइल को डिजाइन के अनुसार समायोजित किया जा सकता है ताकि संक्रमण को आसपास के सर्किट की आवश्यकता होयह बाहरी मिलान तत्वों की आवश्यकता के बजाय घटक में एकीकृत मिलान रखता है।
इसके ब्रॉडबैंड इंटरफेस के अलावा, भाग तत्वों के बीच उप-डिग्री चरण स्थिरता रखता है, इसलिए इसे प्रति-घटक चरण ट्रिमिंग के बिना एरे चैनलों में इस्तेमाल किया जा सकता है।क्षमता सहिष्णुता ± 5% मानक है (अनुरोध पर ± 2%), C-V विशेषता 0 V से 30 V तक रैखिक है, और अकारीय SiO2 डाईलेक्ट्रिक उम्र नहीं लेता है, इसलिए चरण अवधि तापमान और समय पर स्थिर रहती है।
