ตัวเก็บประจุ MOS แบบแมตชิงอิมพีแดนซ์แบบไล่ระดับ 220 pF 30V ชิปสำหรับโซ่สัญญาณ RF ย่านความถี่กว้างพิเศษ

HGM221S30V220 อุปสัดส่วนคลื่นที่ตรงกับ MOS Capacitor ₹ 220 pF 30V Ultra-Wideband

สรุปคือHGM221S30V220 เป็นเครื่องปรับ MOS แบบชั้นเดียว 220 pF, 30 V ที่สร้างขึ้นจากซิลิคอนโซนพลอยความต้านทานสูงที่มีสารดิบ SiO2 ที่ปลูกด้วยความร้อนอินเตอร์เฟซอัมเปดานซ์แกรดิเอ็นท์ของมันทําให้การเปลี่ยนไปสู่วงจรรอบ ๆ เป็นเรียบร้อย ดังนั้นตัวประกอบความแข็งจะมีความตอบสนองที่คงที่ในช่วง ultra-wideband, และยังถือความสอดคล้องระหว่างระดับระยะระหว่างองค์ประกอบสําหรับการใช้ array. ค่านิยมความจุและโปรไฟล์อินเตอร์เฟซที่กําหนดเองมีอยู่.

ความ จริง สําคัญ

การก่อสร้างชั้นที่ตรงกับความคับของ gradient

ชั้นที่ตรงกันถูกผลิตเป็นส่วนหนึ่งของกระบวนการกระดาษกระดาษ ระหว่างอินเตอร์เฟซแบบดียิเลคทริกและอิเล็กทรอนด์ โดยใช้ลําดับชั้นที่ระดับโปรไฟล์สามารถปรับตามการออกแบบ เพื่อวางการเปลี่ยนแปลงที่วงจรรอบข้างต้องการ. วิธีนี้ทําให้การจับคู่ได้รวมอยู่ในส่วนประกอบ แทนที่จะต้องการองค์ประกอบที่ตรงกันภายนอก

• ชั้นเรียงเรียงที่กําหนดด้วยการเขียนเล่ม
• โปรไฟล์ปรับตามการออกแบบ
• ไม่จําเป็นต้องมีองค์ประกอบที่ตรงกับภายนอก

ความสอดคล้องของระดับชั้นต่ําสําหรับการสร้างรัง

นอกจากอินเตอร์เฟซเบนด์ขยายความกว้างแล้ว ส่วนนี้ยังคงมีความสอดคล้องในระดับระดับต่ําระหว่างองค์ประกอบ ดังนั้นมันจึงสามารถใช้ได้ในช่อง array โดยไม่ต้องตัดระยะต่อองค์ประกอบความละเอียดความละเอียดคือ ± 5% มาตรฐาน (± 2% ตามคําขอ), คุณลักษณะ C-V เป็นเส้นตรงจาก 0 V ถึง 30 V, และสารดียาเลคทริก SiO2 ที่ไม่มีรูปทรงไม่แก่ ดังนั้นระยะระยะจะคงที่ตลอดอุณหภูมิและเวลา.

• ความสอดคล้องของระยะจากองค์ประกอบไปยังองค์ประกอบในหน้าต่างรองระดับ
• สาย C-V จาก 0 V ถึง 30 V: โฟสต์คงที่ vs bias
• SiO2 ที่ไม่ใช่ไฟฟ้าเหล็ก: ขั้นตอนคงที่ vs อุณหภูมิและเวลา

การใช้งาน

• การเชื่อมต่อ RF ultra-wideband และการปิด DC
• ช่องช่องเรียงแบบระยะ และช่องช่องสร้างรังสีที่ต้องการระยะที่ตรงกัน
• การเลี่ยงสายพานิดกว้างและการแยกการจําหน่าย
• โมดูลหน้า 5G และ 6G
• การสื่อสารผ่านดาวเทียม รับและส่งโซ่
• อุปกรณ์การทดสอบและการวัดที่ต้องการการสะท้อนแสงต่ําในช่วงความกว้าง