| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | L/C, D/A, D/P, T/T |
In het kort: De HGM221S30V220 is een 220 pF, 30 V enkellaagse MOS-condensator gebouwd op silicium met een hoge weerstand (float-zone) met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. De gradiënt impedantie-interface egaliseert de overgang naar het omringende circuit, zodat de condensator een consistente respons behoudt over een ultra-breedbandbereik, en het behoudt ook sub-graden faseconsistentie tussen elementen voor gebruik in arrays. Op maat gemaakte capaciteitswaarden en interfaceprofielen zijn beschikbaar.
| Artikel | Waarde |
| Merk | Hoan |
| Model | HGM221S30V220 |
| Categorie | MOS Condensatoren |
| Capaciteit | 220 pF ±5% (±2% op aanvraag) |
| Nominale DC-spanning | 30 V |
| Diëlektricum | Thermisch SiO2, para-elektrisch (300 nm) |
| Interface | Gradiënt impedantie matchinglaag (op wafer gedefinieerd) |
| Faseconsistentie | Sub-graad, element-tot-element |
| Bruikbare bandbreedte | DC tot 40 GHz (typisch) |
| Afsluiting | Draadbond of flip-chip micro-bump |
| Chipgrootte | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| Bedrijfstemperatuur | -55 °C tot +125 °C |
| Plaats van herkomst | Shaanxi, China |
| Certificering | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 stuks |
| Levertijd | 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie |
De matchinglaag wordt vervaardigd als onderdeel van het waferproces, tussen de diëlektrische interface en de elektrode, met behulp van een geleidelijke reeks lagen. Omdat het lithografisch wordt gedefinieerd, kan het profiel per ontwerp worden aangepast om de overgang te plaatsen waar het omringende circuit deze nodig heeft. Dit zorgt ervoor dat de matching geïntegreerd is in het component in plaats van externe matchingelementen te vereisen.
Naast de breedbandige interface, behoudt het onderdeel sub-graad faseconsistentie tussen elementen, zodat het kan worden gebruikt in arraykanalen zonder faseafstemming per element. De capaciteitstolerantie is standaard ±5% (±2% op aanvraag), de C-V-karakteristiek is lineair van 0 V tot 30 V, en het amorfe SiO2-diëlektricum veroudert niet, zodat de fasecomponent stabiel blijft over temperatuur en tijd.
![]()