details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

MOS-condensatoren 220 pF 30V chip voor ultrabreedband RF-signaalkettingen

MOS-condensatoren 220 pF 30V chip voor ultrabreedband RF-signaalkettingen

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HGM221S30V220
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Chipgrootte:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
Vochtgevoeligheid:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Bruikbare bandbreedte:
DC tot 40 GHz (typisch)
Maatwerk:
Aangepaste capaciteit 10 pF-1000 pF, gradiëntinterfaceprofiel en matrijsgeometrie
Markeren:

MOS-capacitor met een gradiëntimpedantie

,

220 pF 30V MOS condensator

,

MOS-capacitor voor ultrabreedbandradio-signaal

Productomschrijving

HGM221S30V220 Gradiënt Impedantie Matching MOS Condensator — 220 pF 30V Ultra-Wideband


In het kort: De HGM221S30V220 is een 220 pF, 30 V enkellaagse MOS-condensator gebouwd op silicium met een hoge weerstand (float-zone) met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. De gradiënt impedantie-interface egaliseert de overgang naar het omringende circuit, zodat de condensator een consistente respons behoudt over een ultra-breedbandbereik, en het behoudt ook sub-graden faseconsistentie tussen elementen voor gebruik in arrays. Op maat gemaakte capaciteitswaarden en interfaceprofielen zijn beschikbaar.


Belangrijkste feiten


Artikel Waarde
Merk Hoan
Model HGM221S30V220
Categorie MOS Condensatoren
Capaciteit 220 pF ±5% (±2% op aanvraag)
Nominale DC-spanning 30 V
Diëlektricum Thermisch SiO2, para-elektrisch (300 nm)
Interface Gradiënt impedantie matchinglaag (op wafer gedefinieerd)
Faseconsistentie Sub-graad, element-tot-element
Bruikbare bandbreedte DC tot 40 GHz (typisch)
Afsluiting Draadbond of flip-chip micro-bump
Chipgrootte 0.50 x 0.50 x 0.15 mm
Bedrijfstemperatuur -55 °C tot +125 °C
Plaats van herkomst Shaanxi, China
Certificering ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 stuks
Levertijd 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie


Constructie van de gradiënt impedantie matchinglaag


De matchinglaag wordt vervaardigd als onderdeel van het waferproces, tussen de diëlektrische interface en de elektrode, met behulp van een geleidelijke reeks lagen. Omdat het lithografisch wordt gedefinieerd, kan het profiel per ontwerp worden aangepast om de overgang te plaatsen waar het omringende circuit deze nodig heeft. Dit zorgt ervoor dat de matching geïntegreerd is in het component in plaats van externe matchingelementen te vereisen.

  • Lithografisch gedefinieerde gradiëntlaag
  • Profiel instelbaar per ontwerp
  • Geen externe matchingelementen vereist


Sub-graad faseconsistentie voor beamforming

Naast de breedbandige interface, behoudt het onderdeel sub-graad faseconsistentie tussen elementen, zodat het kan worden gebruikt in arraykanalen zonder faseafstemming per element. De capaciteitstolerantie is standaard ±5% (±2% op aanvraag), de C-V-karakteristiek is lineair van 0 V tot 30 V, en het amorfe SiO2-diëlektricum veroudert niet, zodat de fasecomponent stabiel blijft over temperatuur en tijd.

  • Element-tot-element faseconsistentie binnen een sub-graad venster
  • Lineaire C-V van 0 V tot 30 V: stabiele fase vs bias
  • Niet-ferro-elektrisch SiO2: stabiele fase vs temperatuur en tijd


Toepassingen

  • Ultra-breedband RF-koppeling en DC-blokkering
  • Gefaseerde arrays en beamforming-kanalen die gematchte fase vereisen
  • Breedband bypass en voedingsontkoppeling
  • 5G en 6G front-end modules
  • Satellietcommunicatie ontvangst- en zendketens
  • Test- en meetinstrumentatie die lage reflectie over een breed band vereist


MOS-condensatoren 220 pF 30V chip voor ultrabreedband RF-signaalkettingen