dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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Capacitori MOS 220 pF 30V per catene di segnale RF a banda ultra larga

Capacitori MOS 220 pF 30V per catene di segnale RF a banda ultra larga

Marchio: Hoan
Numero di modello: HGM221S30V220
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Dimensione del chip:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
Livello di sensibilità all'umidità:
MSL1 (J-STD-020)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Larghezza di banda utilizzabile:
Da CC a 40 GHz (tipico)
Personalizzazione:
Capacità personalizzata 10 pF-1000 pF, profilo di interfaccia gradiente e geometria del die
Evidenziare:

Condensatore MOS a impedenza a gradiente

,

Condensatore MOS da 220 pF 30V

,

Condensatore MOS RF a banda ultra-larga

Descrizione di prodotto

HGM221S30V220 Condensatore MOS con Impedenza Graduale — 220 pF 30V Ultra-Wideband


In breve: L'HGM221S30V220 è un condensatore MOS monostrato da 220 pF, 30 V costruito su silicio float-zone ad alta resistività con un dielettrico di SiO2 cresciuto termicamente. La sua interfaccia a impedenza graduale leviga la transizione al circuito circostante in modo che il condensatore mantenga una risposta coerente su una gamma ultra-wideband, e mantiene anche una coerenza di fase sub-grado tra gli elementi per l'uso in array. Sono disponibili valori di capacità e profili di interfaccia personalizzati.


Fatti Chiave


Articolo Valore
Marca Hoan
Modello HGM221S30V220
Categoria Condensatori MOS
Capacità 220 pF ±5% (±2% su richiesta)
Tensione DC Nominale 30 V
Dielettrico SiO2 termico, paraelettrico (300 nm)
Interfaccia Strato di adattamento di impedenza graduale (definito sul wafer)
Coerenza di Fase Sub-grado, da elemento a elemento
Banda Passante Utilizzabile DC a 40 GHz (tipico)
Terminazione Bond di filo o micro-bump flip-chip
Dimensioni Chip 0.50 x 0.50 x 0.15 mm
Temperatura Operativa -55 °C a +125 °C
Luogo di Origine Shaanxi, Cina
Certificazione ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 pezzi
Tempi di Consegna 5-7 giorni lavorativi per stock, 3-4 settimane per produzione


Costruzione dello Strato di Adattamento di Impedenza Graduale


Lo strato di adattamento viene fabbricato come parte del processo del wafer, tra l'interfaccia dielettrica e l'elettrodo, utilizzando una sequenza graduata di strati. Poiché è definito litograficamente, il profilo può essere regolato per ogni progetto per posizionare la transizione dove il circuito circostante ne ha bisogno. Questo mantiene l'adattamento integrato nel componente anziché richiedere elementi di adattamento esterni.

  • Strato graduato definito litograficamente
  • Profilo regolabile per progetto
  • Nessun elemento di adattamento esterno richiesto


Coerenza di Fase Sub-Grado per Beamforming

Oltre alla sua interfaccia a banda larga, il componente mantiene una coerenza di fase sub-grado tra gli elementi, in modo da poter essere utilizzato in canali di array senza la necessità di una calibrazione di fase per ogni elemento. La tolleranza della capacità è ±5% standard (±2% su richiesta), la caratteristica C-V è lineare da 0 V a 30 V, e il dielettrico di SiO2 amorfo non invecchia, quindi il termine di fase rimane stabile nel tempo e nella temperatura.

  • Coerenza di fase da elemento a elemento in una finestra sub-grado
  • C-V lineare da 0 V a 30 V: fase stabile vs bias
  • SiO2 non ferroelettrico: fase stabile vs temperatura e tempo


Applicazioni

  • Accoppiamento RF ultra-wideband e blocco DC
  • Canali phased-array e beamforming che richiedono fase adattata
  • Bypass a banda larga e disaccoppiamento di alimentazione
  • Moduli front-end 5G e 6G
  • Catene di ricezione e trasmissione per comunicazioni satellitari
  • Strumentazione di test e misurazione che necessita di bassa riflessione su un'ampia banda


Capacitori MOS 220 pF 30V per catene di segnale RF a banda ultra larga