| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T |
In breve: L'HGM221S30V220 è un condensatore MOS monostrato da 220 pF, 30 V costruito su silicio float-zone ad alta resistività con un dielettrico di SiO2 cresciuto termicamente. La sua interfaccia a impedenza graduale leviga la transizione al circuito circostante in modo che il condensatore mantenga una risposta coerente su una gamma ultra-wideband, e mantiene anche una coerenza di fase sub-grado tra gli elementi per l'uso in array. Sono disponibili valori di capacità e profili di interfaccia personalizzati.
| Articolo | Valore |
| Marca | Hoan |
| Modello | HGM221S30V220 |
| Categoria | Condensatori MOS |
| Capacità | 220 pF ±5% (±2% su richiesta) |
| Tensione DC Nominale | 30 V |
| Dielettrico | SiO2 termico, paraelettrico (300 nm) |
| Interfaccia | Strato di adattamento di impedenza graduale (definito sul wafer) |
| Coerenza di Fase | Sub-grado, da elemento a elemento |
| Banda Passante Utilizzabile | DC a 40 GHz (tipico) |
| Terminazione | Bond di filo o micro-bump flip-chip |
| Dimensioni Chip | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| Temperatura Operativa | -55 °C a +125 °C |
| Luogo di Origine | Shaanxi, Cina |
| Certificazione | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 pezzi |
| Tempi di Consegna | 5-7 giorni lavorativi per stock, 3-4 settimane per produzione |
Lo strato di adattamento viene fabbricato come parte del processo del wafer, tra l'interfaccia dielettrica e l'elettrodo, utilizzando una sequenza graduata di strati. Poiché è definito litograficamente, il profilo può essere regolato per ogni progetto per posizionare la transizione dove il circuito circostante ne ha bisogno. Questo mantiene l'adattamento integrato nel componente anziché richiedere elementi di adattamento esterni.
Oltre alla sua interfaccia a banda larga, il componente mantiene una coerenza di fase sub-grado tra gli elementi, in modo da poter essere utilizzato in canali di array senza la necessità di una calibrazione di fase per ogni elemento. La tolleranza della capacità è ±5% standard (±2% su richiesta), la caratteristica C-V è lineare da 0 V a 30 V, e il dielettrico di SiO2 amorfo non invecchia, quindi il termine di fase rimane stabile nel tempo e nella temperatura.
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