| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
به طور خلاصه:HGM221S30V220 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 220 پیکوفاراد و ولتاژ 30 ولت است که بر روی سیلیکون با مقاومت بالا و فرآیند شناور ساخته شده و دارای دیالکتریک SiO2 رشد یافته حرارتی است. رابط امپدانس گرادیانی آن انتقال به مدار اطراف را هموار میکند، بنابراین خازن پاسخی ثابت در طیف باند فوق عریض حفظ میکند و همچنین ثبات فاز زیر درجه بین المانها را برای استفاده در آرایه حفظ میکند. مقادیر ظرفیت سفارشی و پروفایلهای رابط در دسترس هستند.
| مورد | مقدار |
| برند | هوان |
| مدل | HGM221S30V220 |
| دسته بندی | خازنهای MOS |
| ظرفیت | 220 پیکوفاراد ±5% (±2% در صورت درخواست) |
| ولتاژ DC نامی | 30 ولت |
| دیالکتریک | SiO2 حرارتی، پارالکتریک (300 نانومتر) |
| رابط | لایه تطابق امپدانس گرادیانی (تعریف شده روی ویفر) |
| ثبات فاز | زیر درجه، المان به المان |
| پهنای باند قابل استفاده | DC تا 40 گیگاهرتز (معمولی) |
| پایاندهی | سیمبندی یا میکروبامپ فلیپچیپ |
| اندازه تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلیمتر |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد |
| محل مبدا | شانشی، چین |
| گواهینامه | ISO 9001:2015، RoHS |
| حداقل سفارش | 10 قطعه |
| زمان تحویل | 5-7 روز کاری برای موجودی، 3-4 هفته برای تولید |
لایه تطابق به عنوان بخشی از فرآیند ویفر، بین رابط دیالکتریک و الکترود، با استفاده از یک توالی گرادیانی از لایهها ساخته میشود. از آنجایی که به صورت لیتوگرافی تعریف میشود، پروفایل را میتوان بر اساس طراحی تنظیم کرد تا انتقال را در جایی که مدار اطراف به آن نیاز دارد، قرار دهد. این امر باعث میشود تطابق در قطعه ادغام شود به جای اینکه به المانهای تطابق خارجی نیاز باشد.
علاوه بر رابط باند عریض خود، این قطعه ثبات فاز زیر درجه بین المانها را حفظ میکند، بنابراین میتواند در کانالهای آرایه بدون نیاز به تنظیم فاز در هر المان استفاده شود. تلرانس ظرفیت به طور استاندارد ±5% است (±2% در صورت درخواست)، مشخصه C-V از 0 ولت تا 30 ولت خطی است، و دیالکتریک SiO2 آمورف پیر نمیشود، بنابراین جمله فاز در طول دما و زمان پایدار میماند.
![]()