جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
هک کننده های MOS
Created with Pixso.

تراز مقاومت تراز مطابقت MOS Capacitors 220 pF 30V Chip برای زنجیره های سیگنال RF Ultra-Wideband

تراز مقاومت تراز مطابقت MOS Capacitors 220 pF 30V Chip برای زنجیره های سیگنال RF Ultra-Wideband

نام تجاری: Hoan
شماره مدل: HGM221S30V220
MOQ: 10 عدد
شرایط پرداخت: L/C، D/A، D/P، T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
شانشی، چین
گواهی:
ISO 9001:2015, RoHS
اندازه تراشه:
0.50 x 0.50 x 0.15 میلی متر
دمای عملیاتی:
-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد
سطح حساسیت به رطوبت:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
مطابق (EU 2015/863)
پهنای باند قابل استفاده:
DC تا 40 گیگاهرتز (معمولی)
سفارشی سازی:
ظرفیت خازنی سفارشی 10 pF-1000 pF، نمایه رابط گرادیان و هندسه قالب
برجسته کردن:

خازن ماس با تطبیق امپدانس گرادیانی

,

خازن ماس ۲۲۰ پیکوفاراد ۳۰ ولت

,

خازن ماس RF فوق پهن‌باند

توضیحات محصول

HGM221S30V220 خازن MOS با تطابق امپدانس گرادیانی — 220 پیکوفاراد 30 ولت باند فوق عریض


به طور خلاصه:HGM221S30V220 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 220 پیکوفاراد و ولتاژ 30 ولت است که بر روی سیلیکون با مقاومت بالا و فرآیند شناور ساخته شده و دارای دی‌الکتریک SiO2 رشد یافته حرارتی است. رابط امپدانس گرادیانی آن انتقال به مدار اطراف را هموار می‌کند، بنابراین خازن پاسخی ثابت در طیف باند فوق عریض حفظ می‌کند و همچنین ثبات فاز زیر درجه بین المان‌ها را برای استفاده در آرایه حفظ می‌کند. مقادیر ظرفیت سفارشی و پروفایل‌های رابط در دسترس هستند.


حقایق کلیدی


مورد مقدار
برند هوان
مدل HGM221S30V220
دسته بندی خازن‌های MOS
ظرفیت 220 پیکوفاراد ±5% (±2% در صورت درخواست)
ولتاژ DC نامی 30 ولت
دی‌الکتریک SiO2 حرارتی، پارالکتریک (300 نانومتر)
رابط لایه تطابق امپدانس گرادیانی (تعریف شده روی ویفر)
ثبات فاز زیر درجه، المان به المان
پهنای باند قابل استفاده DC تا 40 گیگاهرتز (معمولی)
پایان‌دهی سیم‌بندی یا میکروبامپ فلیپ‌چیپ
اندازه تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد
محل مبدا شانشی، چین
گواهینامه ISO 9001:2015، RoHS
حداقل سفارش 10 قطعه
زمان تحویل 5-7 روز کاری برای موجودی، 3-4 هفته برای تولید


ساختار لایه تطابق امپدانس گرادیانی


لایه تطابق به عنوان بخشی از فرآیند ویفر، بین رابط دی‌الکتریک و الکترود، با استفاده از یک توالی گرادیانی از لایه‌ها ساخته می‌شود. از آنجایی که به صورت لیتوگرافی تعریف می‌شود، پروفایل را می‌توان بر اساس طراحی تنظیم کرد تا انتقال را در جایی که مدار اطراف به آن نیاز دارد، قرار دهد. این امر باعث می‌شود تطابق در قطعه ادغام شود به جای اینکه به المان‌های تطابق خارجی نیاز باشد.

  • لایه گرادیانی تعریف شده لیتوگرافی
  • پروفایل قابل تنظیم بر اساس طراحی
  • بدون نیاز به المان‌های تطابق خارجی


ثبات فاز زیر درجه برای شکل‌دهی پرتو

علاوه بر رابط باند عریض خود، این قطعه ثبات فاز زیر درجه بین المان‌ها را حفظ می‌کند، بنابراین می‌تواند در کانال‌های آرایه بدون نیاز به تنظیم فاز در هر المان استفاده شود. تلرانس ظرفیت به طور استاندارد ±5% است (±2% در صورت درخواست)، مشخصه C-V از 0 ولت تا 30 ولت خطی است، و دی‌الکتریک SiO2 آمورف پیر نمی‌شود، بنابراین جمله فاز در طول دما و زمان پایدار می‌ماند.

  • ثبات فاز المان به المان در پنجره زیر درجه
  • C-V خطی از 0 ولت تا 30 ولت: فاز پایدار در برابر بایاس
  • SiO2 غیرفروالکتریک: فاز پایدار در برابر دما و زمان


کاربردها

  • کوپلینگ RF باند فوق عریض و مسدود کردن DC
  • کانال‌های آرایه فازی و شکل‌دهی پرتو که نیاز به فاز تطابق یافته دارند
  • بای‌پس باند عریض و جداسازی تغذیه
  • ماژول‌های جلویی 5G و 6G
  • زنجیره‌های دریافت و ارسال ارتباطات ماهواره‌ای
  • تجهیزات تست و اندازه‌گیری که نیاز به بازتاب کم در باند وسیع دارند


تراز مقاومت تراز مطابقت MOS Capacitors 220 pF 30V Chip برای زنجیره های سیگنال RF Ultra-Wideband