HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
সংক্ষেপে: HGM221S30V220 হল একটি 220 pF, 30 V সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যা উচ্চ-প্রতিরোধক ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর নির্মিত এবং এতে থার্মালি গ্রোন SiO2 ডাইইলেকট্রিক রয়েছে। এর গ্রেডিয়েন্ট ইম্পিডেন্স ইন্টারফেস চারপাশের সার্কিটের সাথে মসৃণ রূপান্তর ঘটায়, তাই ক্যাপাসিটরটি আল্ট্রা-ওয়াইডব্যান্ড রেঞ্জে একটি সামঞ্জস্যপূর্ণ প্রতিক্রিয়া বজায় রাখে এবং এটি অ্যারে ব্যবহারের জন্য উপাদানগুলির মধ্যে সাব-ডিগ্রী ফেজ সামঞ্জস্যও ধরে রাখে। কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান এবং ইন্টারফেস প্রোফাইল উপলব্ধ।
| আইটেম | মান |
| ব্র্যান্ড | হোয়ান |
| মডেল | HGM221S30V220 |
| বিভাগ | MOS ক্যাপাসিটর |
| ক্যাপাসিট্যান্স | 220 pF ±5% (অনুরোধে ±2%) |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | 30 V |
| ডাইইলেকট্রিক | থার্মাল SiO2, প্যারা-ইলেকট্রিক (300 nm) |
| ইন্টারফেস | গ্রেডিয়েন্ট ইম্পিডেন্স ম্যাচিং লেয়ার (ওয়েফার-সংজ্ঞায়িত) |
| ফেজ সামঞ্জস্য | সাব-ডিগ্রী, উপাদান থেকে উপাদান |
| ব্যবহারযোগ্য ব্যান্ডউইথ | ডিসি থেকে 40 GHz (সাধারণ) |
| টার্মিনেশন | ওয়্যার বন্ড বা ফ্লিপ-চিপ মাইক্রো-বাম্প |
| চিপের আকার | 0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C থেকে +125 °C |
| উৎপত্তিস্থল | শানসি, চীন |
| সার্টিফিকেশন | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 পিস |
| লিড টাইম | স্টকের জন্য 5-7 কার্যদিবস, উৎপাদনের জন্য 3-4 সপ্তাহ |
ম্যাচিং লেয়ারটি ওয়েফার প্রক্রিয়ার অংশ হিসাবে, ডাইইলেকট্রিক ইন্টারফেস এবং ইলেকট্রোডের মধ্যে, স্তরগুলির একটি গ্রেডেড ক্রম ব্যবহার করে তৈরি করা হয়। যেহেতু এটি লিথোগ্রাফিকভাবে সংজ্ঞায়িত, তাই রূপান্তরটি যেখানে চারপাশের সার্কিটের প্রয়োজন সেখানে স্থাপন করার জন্য প্রোফাইলটি ডিজাইন অনুসারে সামঞ্জস্য করা যেতে পারে। এটি বাহ্যিক ম্যাচিং উপাদানের প্রয়োজনীয়তা ছাড়াই উপাদানটিতে ম্যাচিংকে একীভূত রাখে।
এর ব্রডব্যান্ড ইন্টারফেস ছাড়াও, অংশটি উপাদানগুলির মধ্যে সাব-ডিগ্রী ফেজ সামঞ্জস্য বজায় রাখে, তাই এটি প্রতি-উপাদান ফেজ ট্রিম ছাড়াই অ্যারে চ্যানেলগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে। ক্যাপাসিট্যান্স টলারেন্স হল ±5% স্ট্যান্ডার্ড (অনুরোধে ±2%), C-V বৈশিষ্ট্য 0 V থেকে 30 V পর্যন্ত রৈখিক, এবং অ্যামোরফাস SiO2 ডাইইলেকট্রিক বার্ধক্যপ্রাপ্ত হয় না, তাই ফেজ টার্ম তাপমাত্রা এবং সময়ের সাথে স্থিতিশীল থাকে।
