Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Contenant des capacités MOS 220 pF 30V pour les chaînes de signaux RF à bande ultra large

Contenant des capacités MOS 220 pF 30V pour les chaînes de signaux RF à bande ultra large

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HGM221S30V220
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Taille de la puce:
0,50x0,50x0,15mm
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
Niveau de sensibilité à l'humidité:
MSL1 (J-STD-020)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Bande passante utilisable:
CC à 40 GHz (typique)
Personnalisation:
Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, profil d'interface dégradé et géométrie de la matrice
Mettre en évidence:

Gradient impédance matching MOS condensateur

,

Condensateur MOS de 30 V à 220 pF

,

Condensateur MOS de signal RF ultra large bande

Description de produit

HGM221S30V220 Condensateur MOS correspondant à l'impédance du gradient ¥ 220 pF 30V ultra large bande


En résumé:Le HGM221S30V220 est un condensateur MOS monocouche de 220 pF et 30 V construit sur du silicium à zone flottante à haute résistance avec un diélectrique SiO2 cultivé thermiquement.Son interface d'impédance de dégradé assure une transition en douceur vers le circuit environnant, de sorte que le condensateur maintient une réponse constante sur une plage ultra large bande., et il maintient également la cohérence de phase sous-degré entre les éléments pour l'utilisation de la matrice.


Faits clés


Nom de l'article Valeur
Marque Je vous en prie.
Modèle Le numéro de série HGM221S30V220
Catégorie Condensateurs MOS
Capacité 220 pF ± 5% (± 2% sur demande)
Voltage nominal en courant continu 30 V
Diélectrique SiO2 thermique, paraélectrique (300 nm)
Interface Couche de correspondance de l'impédance du gradient (définie par une plaque)
Conséquence de phase Sous-grade, élément à élément
Largeur de bande utilisable DC à 40 GHz (typique)
Résolution Micro-boucle en fil de fer ou en flip-chip
Taille de la puce 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Température de fonctionnement -55 °C à +125 °C
Lieu d'origine Shaanxi, Chine
Certification La norme ISO 9001 déclare:2015, RoHS
Quantité de produit 10 pièces
Temps de réalisation 5-7 jours ouvrables pour les stocks, 3-4 semaines pour la production


Construction de couche correspondant à l'impédance du gradient


La couche correspondante est fabriquée dans le cadre du processus de la galette, entre l'interface diélectrique et l'électrode, en utilisant une séquence graduée de couches.le profil peut être ajusté par conception pour placer la transition là où le circuit environnant en a besoinCela permet de maintenir l'appariement intégré dans le composant plutôt que de nécessiter des éléments d'appariement externes.

  • Couche graduée définie lithographiquement
  • Profil réglable par conception
  • Aucun élément de correspondance externe requis


Consistance de phase sous-grade pour le faisceau-formation

En plus de son interface haut débit, la pièce maintient une cohérence de phase sous-grade entre les éléments, de sorte qu'elle peut être utilisée dans des canaux de réseau sans découpage de phase par élément.La tolérance de capacité est de ±5% standard (±2% sur demande), la caractéristique C-V est linéaire de 0 V à 30 V, et le diélectrique amorphe SiO2 ne vieillit pas, de sorte que le terme de phase reste stable sur la température et le temps.

  • Cohérence de phase d'élément à élément dans une fenêtre de sous-degré
  • C-V linéaire de 0 V à 30 V: phase stable vs biais
  • SiO2 non ferroélectrique: phase stable par rapport à température et temps


Applications

  • Accouplement RF ultra large bande et blocage en courant continu
  • Canaux à matrice de phases et à faisceau nécessitant une phase assortie
  • Le contournement à large bande et le découplage de l'alimentation
  • Modules d'interface 5G et 6G
  • Chaînes de réception et d'émission de communications par satellite
  • Instruments d'essai et de mesure nécessitant une faible réflexion sur une large bande


Contenant des capacités MOS 220 pF 30V pour les chaînes de signaux RF à bande ultra large