dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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Condensatori MOS resistenti alla fatica dipolare 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip per assemblaggio BGA a livello di wafer

Condensatori MOS resistenti alla fatica dipolare 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip per assemblaggio BGA a livello di wafer

Marchio: Hoan
Numero di modello: HFC221S30V220
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Capacità:
220pF±10%
Personalizzazione:
Capacità personalizzata 10 pF-1000 pF, bump pitch e geometria del die disponibili
Tipo di urto:
Pilastro in rame con cappuccio a saldare SnAg
Passo a sbalzo:
80 µm (disponibile su misura)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Livello di sensibilità all'umidità:
MSL1 (J-STD-020)
Evidenziare:

Condensatore MOS a Dipolo 220 pF

,

Condensatore MOS Resistente alla Fatica 30V

,

Condensatore MOS Pronto per Flip-Chip

Descrizione di prodotto

HFC221S30V220 condensatore MOS resistente alla stanchezza dipolare


In breve:L'HFC221S30V220 è un condensatore MOS monolivello a 220 pF e 30 V costruito su silicio a zona galleggiante ad alta resistenza con un dielettrico SiO2 coltivato termicamente.È progettato per circuiti che devono mantenere una capacità stabile su molti cicli di campo e termici, e viene fornito con terminazione micro-bump a livello di wafer per assemblaggio a flip-chip, senza fili di legame.


Fatti chiave


Articolo Valore
Marchio Hoan
Modello HFC221S30V220
Categoria Condensatori MOS
Capacità 220 pF ±10% (customizzato 10 pF-1000 pF)
Voltaggio nominale di corrente continua 30 V
diossido di carbonio SiO2 termico, paraelettrico (300 nm)
Terminare Micro-bump / saldatore BGA a pilastro di rame
Dimensione del chip 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Temperatura di funzionamento -55 °C a +125 °C
Luogo di origine Shaanxi, Cina
Certificazione ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 pezzi
Tempo di consegna 5-7 giorni lavorativi per le scorte, 3-4 settimane per la produzione


Flip-chip pronto per l'assemblaggio senza fili


Il chip è terminato con un micro-bump simmetrico a livello di wafer in modo da poter essere posizionato direttamente su interpositori in laminato, ceramica o silicio con un legante standard a flip-chip.che sono la principale fonte di induttanza di serie e di stanchezza meccanica del tallone in gruppi ad alto ciclo.

  • Flip-chip direttamente attaccato, senza legami di filo d'oro
  • L'ESL del chip intrinseco < 0,05 nH; risonanza di serie > 5 GHz
  • Resistenza al contatto con urto stabile durante cicli termici ripetuti


BGA a livello di wafer / Micro-Bump Ready


Ogni dispositivo è prodotto con UBM a livello di wafer e 100% di sonda a livello di wafer, quindi cade direttamente nel confezionamento a livello di wafer e flussi di reflow BGA senza ulteriore elaborazione back-end.

  • Micro-bump a pilastro di rame con tappo di saldatura SnAg, di altezza 80 μm (disponibile altezza personalizzata)
  • Durata di funzionamento MSL 1; reflusso massimo fino a 260 °C
  • Prova elettrica al 100% a livello del wafer con mappa digitale del wafer


Applicazioni


  • Circuiti RF a commutazione ad alto ciclo e a RF pulsata
  • Circuiti del risonatore e del serbatoio che richiedono stabilità a lungo termine
  • Disaggregazione a flip-chip per amplificatori di potenza RF
  • Moduli multi-chip per i quali è necessario un montaggio senza fili di legame
  • Apparecchiature industriali e infrastrutturali con lunga durata di vita
  • Sistemi esposti a cicli termici ripetuti


Condensatori MOS resistenti alla fatica dipolare 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip per assemblaggio BGA a livello di wafer