HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HFC221S30V220 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
به طور خلاصه: HFC221S30V220 یک خازن MOS تک لایه 220 پیکوفاراد، 30 ولت است که بر روی سیلیکون با مقاومت بالا و با دی‌الکتریک SiO2 رشد یافته حرارتی ساخته شده است. این خازن برای مدارهایی طراحی شده است که باید ظرفیت خازنی پایدار را در طول چرخه‌های میدانی و حرارتی متعدد حفظ کنند و با پایانه‌های میکرو بامپ در سطح ویفر برای مونتاژ فلیپ چیپ بدون سیم اتصال عرضه می‌شود. مقادیر خازنی سفارشی و طرح‌های بامپ موجود است.
| مورد | مقدار |
| برند | هوان |
| مدل | HFC221S30V220 |
| دسته بندی | خازن‌های MOS |
| ظرفیت خازنی | 220 پیکوفاراد ±10% (سفارشی 10 پیکوفاراد-1000 پیکوفاراد) |
| ولتاژ DC نامی | 30 ولت |
| دی‌الکتریک | SiO2 حرارتی، پارالکتریک (300 نانومتر) |
| پایانه | میکرو بامپ ستون مسی / BGA لحیم |
| اندازه تراشه | 0.50 x 0.50 x 0.15 میلی‌متر |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد |
| محل مبدا | شانشی، چین |
| گواهینامه | ISO 9001:2015، RoHS |
| حداقل سفارش | 10 قطعه |
| زمان تحویل | 5-7 روز کاری برای موجودی، 3-4 هفته برای تولید |
تراشه با میکرو بامپ متقارن در سطح ویفر پایان یافته است تا بتوان آن را مستقیماً توسط یک دستگاه فلیپ چیپ استاندارد بر روی لایه‌های لمینت، سرامیک یا سیلیکونی قرار داد. این امر سیم‌های طلایی اتصال را حذف می‌کند که منبع اصلی اندوکتانس سری و خستگی پاشنه مکانیکی در مونتاژهای با چرخه بالا هستند.
هر دستگاه با UBM در سطح ویفر تولید شده و 100% پروب ویفر انجام می‌شود، بنابراین مستقیماً در بسته‌بندی در سطح ویفر و فرآیندهای لحیم کاری BGA بدون پردازش اضافی در انتهای خط قرار می‌گیرد.
