| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HFC221S30V220 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Em resumo: O HFC221S30V220 é um capacitor MOS de camada única de 220 pF e 30 V construído em silício float-zone de alta resistividade com um dielétrico de SiO2 crescido termicamente. Ele é projetado para circuitos que devem manter uma capacitância estável ao longo de muitos ciclos de campo e térmicos, e é fornecido com terminação de micro-bump em nível de wafer para montagem flip-chip, sem fio de ligação. Valores de capacitância e layouts de bump personalizados estão disponíveis.
| Item | Valor |
| Marca | Hoan |
| Modelo | HFC221S30V220 |
| Categoria | Capacitores MOS |
| Capacitância | 220 pF ±10% (personalizado 10 pF-1000 pF) |
| Tensão DC Nominal | 30 V |
| Dielétrico | SiO2 Térmico, paraelétrico (300 nm) |
| Terminação | Micro-bump de pilar de cobre / BGA de solda |
| Tamanho do Chip | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +125 °C |
| Local de Origem | Shaanxi, China |
| Certificação | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 peças |
| Prazo de Entrega | 5-7 dias úteis para estoque, 3-4 semanas para produção |
O chip é terminado com um micro-bump simétrico em nível de wafer para que possa ser colocado diretamente em interposers de laminado, cerâmica ou silício por um bonder flip-chip padrão. Isso remove os fios de ouro, que são a principal fonte de indutância série e de fadiga de calcanhar mecânica em montagens de alto ciclo.
Cada dispositivo é produzido com UBM em nível de wafer e 100% de sonda de wafer, de modo que se encaixa diretamente em fluxos de embalagem em nível de wafer e reflow BGA sem processamento adicional de back-end.
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