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Capacitores MOS
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Capacitores MOS com Dielétrico Resistente à Fadiga de Dipolo 220 pF 30V Flip-Chip Pronto para Montagem BGA em Nível de Wafer

Capacitores MOS com Dielétrico Resistente à Fadiga de Dipolo 220 pF 30V Flip-Chip Pronto para Montagem BGA em Nível de Wafer

Marca: Hoan
Número do modelo: HFC221S30V220
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS
Capacitância:
220pF ±10%
Personalização:
Capacitância personalizada 10 pF-1000 pF, passo de colisão e geometria da matriz disponíveis
Tipo de colisão:
Pilar de cobre com tampa de solda SnAg
Passo de colisão:
80 µm (personalizado disponível)
RoHS:
Em conformidade (UE 2015/863)
Nível de sensibilidade à umidade:
MSL1 (J-STD-020)
Destacar:

Dipole MOS Capacitor 220 pF

,

Capacitor MOS resistente à fadiga de 30 V

,

Flip-Chip Ready MOS Capacitor

Descrição do produto

Capacitor MOS HFC221S30V220 Resistente à Fadiga por Dipolo — 220 pF 30V Pronto para Flip-Chip


Em resumo: O HFC221S30V220 é um capacitor MOS de camada única de 220 pF e 30 V construído em silício float-zone de alta resistividade com um dielétrico de SiO2 crescido termicamente. Ele é projetado para circuitos que devem manter uma capacitância estável ao longo de muitos ciclos de campo e térmicos, e é fornecido com terminação de micro-bump em nível de wafer para montagem flip-chip, sem fio de ligação. Valores de capacitância e layouts de bump personalizados estão disponíveis.


Principais Fatos


Item Valor
Marca Hoan
Modelo HFC221S30V220
Categoria Capacitores MOS
Capacitância 220 pF ±10% (personalizado 10 pF-1000 pF)
Tensão DC Nominal 30 V
Dielétrico SiO2 Térmico, paraelétrico (300 nm)
Terminação Micro-bump de pilar de cobre / BGA de solda
Tamanho do Chip 0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Temperatura de Operação -55 °C a +125 °C
Local de Origem Shaanxi, China
Certificação ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 peças
Prazo de Entrega 5-7 dias úteis para estoque, 3-4 semanas para produção


Pronto para Flip-Chip para Montagem sem Fio de Ligação


O chip é terminado com um micro-bump simétrico em nível de wafer para que possa ser colocado diretamente em interposers de laminado, cerâmica ou silício por um bonder flip-chip padrão. Isso remove os fios de ouro, que são a principal fonte de indutância série e de fadiga de calcanhar mecânica em montagens de alto ciclo.

  • Fixação direta flip-chip, sem fios de ouro
  • ESL intrínseca do chip5 GHz
  • Resistência de contato de bump estável em ciclos térmicos repetidos


Pronto para BGA / Micro-Bump em Nível de Wafer


Cada dispositivo é produzido com UBM em nível de wafer e 100% de sonda de wafer, de modo que se encaixa diretamente em fluxos de embalagem em nível de wafer e reflow BGA sem processamento adicional de back-end.

  • Micro-bump de pilar de cobre com capa de solda SnAg, passo de 80 µm (passo personalizado disponível)
  • Vida útil em piso MSL 1; reflow até 260 °C de pico
  • Teste elétrico em nível de wafer 100% com mapa de wafer digital


Aplicações


  • Circuitos de RF de alto ciclo e circuitos de RF pulsados
  • Circuitos ressonantes e de tanque que exigem estabilidade a longo prazo
  • Desacoplamento flip-chip para amplificadores de potência de RF
  • Módulos multi-chip onde a montagem sem fio de ligação é necessária
  • Equipamentos industriais e de infraestrutura com longa vida útil
  • Sistemas expostos a ciclos térmicos repetidos


Capacitores MOS com Dielétrico Resistente à Fadiga de Dipolo 220 pF 30V Flip-Chip Pronto para Montagem BGA em Nível de Wafer