Dipol Yorgunluğa Dayanıklı MOS Kapasitörler 220 pF 30V Wafer-Level BGA Montajı İçin Flip-Chip Hazır Çip

HFC221S30V220 Dipol Yorgunluğa Dayanıklı MOS Kapasitör — 220 pF 30V Flip-Chip Hazır

Kısaca: HFC221S30V220, yüksek dirençli float-zone silikon üzerine termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik ile üretilmiş 220 pF, 30 V tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Birçok saha ve termal döngü boyunca kararlı bir kapasitansı koruması gereken devreler için tasarlanmıştır ve flip-chip, bondwire-free montaj için wafer seviyesinde mikro-bump sonlandırması ile tedarik edilir. Özel kapasitans değerleri ve bump düzenleri mevcuttur.

Anahtar Bilgiler

Bondwire-Free Montaj İçin Flip-Chip Hazır

Çip, simetrik bir wafer seviyesi mikro-bump ile sonlandırılmıştır, böylece standart bir flip-chip yapıştırıcı ile doğrudan laminat, seramik veya silikon ara katmanlara yerleştirilebilir. Bu, yüksek döngülü montajlarda seri endüktansın ve mekanik topuk yorgunluğunun ana kaynağı olan altın tel bağlarını ortadan kaldırır.

• Doğrudan flip-chip bağlantısı, altın tel bağı yok
• İçsel çip ESL 5 GHz
• Tekrarlanan termal döngülerde kararlı bump temas direnci

Wafer Seviyesi BGA / Mikro-Bump Hazır

Her cihaz, wafer seviyesi UBM ile üretilir ve %100 wafer probu yapılır, bu nedenle ek arka uç işlem gerektirmeden wafer seviyesi paketleme ve BGA yeniden akış akışlarına doğrudan düşer.

• SnAg lehim kapaklı bakır-sütun mikro-bump, 80 µm hatve (özel hatve mevcuttur)
• MSL 1 zemin ömrü; 260 °C tepe noktasına kadar yeniden akış
• %100 wafer seviyesi dijital wafer haritası ile elektriksel test

Uygulamalar

• Yüksek döngülü RF anahtarlama ve darbeli RF devreleri
• Uzun vadeli kararlılık gerektiren rezonatör ve tank devreleri
• RF güç amplifikatörleri için flip-chip ayırma
• Bondwire-free montajın gerekli olduğu çoklu çip modülleri
• Uzun hizmet ömrüne sahip endüstriyel ve altyapı ekipmanları
• Tekrarlanan termal döngülere maruz kalan sistemler