szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Kondensatory MOS odporne na zmęczenie dipolowe 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip do montażu BGA na poziomie płytki

Kondensatory MOS odporne na zmęczenie dipolowe 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip do montażu BGA na poziomie płytki

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HFC221S30V220
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Pojemność:
220 pF ±10%
Personalizacja:
Dostępna jest niestandardowa pojemność 10 pF–1000 pF, skok nierówności i geometria matrycy
Typ uderzenia:
Kolumna miedziana z końcówką lutowniczą SnAg
Skok podbicia:
80 µm (dostępne na zamówienie)
RoHS:
Zgodny (UE 2015/863)
Poziom czułości na wilgoć:
MSL 1 (J-STD-020)
Podkreślić:

Kondensator dipolowy MOS 220 pF

,

Kondensator MOS odporny na zmęczenie 30 V

,

Kondensator Flip-Chip Ready MOS

Opis produktu

HFC221S30V220 kondensator MOS odporny na zmęczenie dipolowe 220 pF 30V gotowy na przełamanie


Krótko mówiąc:HFC221S30V220 to kondensator MOS o jednej warstwie o mocy 220 pF i 30 V zbudowany na wysoko odpornym krzemu pływającym z termalnie uprawianym dielektrikiem SiO2.Jest przeznaczony do obwodów, które muszą utrzymać stabilną pojemność w wielu cyklach pola i cieplnych, jest dostarczany z terminacją mikro-bump na poziomie płytki do montażu bezprzewodowego. Dostępne są niestandardowe wartości pojemności i układy uderzeń.


Kluczowe fakty


Pozycja Wartość
Marka Hoan
Model HFC221S30V220
Kategoria Kondensatory MOS
Pojemność 220 pF ±10% (na zamówienie 10 pF-1000 pF)
Narysowane napięcie prądu stałego 30 V
Elektryczne SiO2 termiczny, paraelektryczny (300 nm)
Zakończenie Mikrowybój z miedzianego słupka / lutownik BGA
Wielkość chipa 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Temperatura pracy -55 °C do +125 °C
Miejsce pochodzenia Shaanxi, Chiny
Certyfikacja ISO 9001:2015RoHS
MOQ 10 sztuk
Czas realizacji 5-7 dni roboczych dla zapasów, 3-4 tygodnie dla produkcji


Flip-Chip gotowy do montażu bezprzewodowego


Czip kończy się symetrycznym mikrokrętem na poziomie płytki, dzięki czemu może być umieszczony bezpośrednio na laminacie, ceramiki lub krzemowych wstawiaczach za pomocą standardowego wiązacza flip-chip.które są głównym źródłem indukcji seryjnej i mechanicznego zmęczenia obcasów w zespołach o wysokim cyklu.

  • Bezpośrednie przymocowanie, bez złotych przewodów
  • ESL chipu wewnętrznego < 0,05 nH; rezonans seryjny > 5 GHz
  • Stabilna odporność na uderzenia podczas wielokrotnego cyklu termicznego


BGA na poziomie płytki / Micro-Bump Ready


Każde urządzenie jest produkowane z UBM na poziomie płytki i 100% sondą płytki, więc spada prosto do opakowania na poziomie płytki i przepływów BGA bez dodatkowego przetwarzania back-end.

  • Mikrowybrzeż z miedzianego słupka z pokrywką lutową SnAg, wysokość 80 μm (dostępna wysokość na zamówienie)
  • Żywotność na podłodze MSL 1; przepływ z powrotem do maksimum 260 °C
  • 100% badanie elektryczne na poziomie płytki z cyfrową mapą płytki


Wnioski


  • Obwody przesyłające częstotliwości RF o wysokim cyklu i impulsowe
  • Obwody rezonatora i zbiornika wymagające długotrwałej stabilności
  • Odłączenie na układzie Flip-Chip dla wzmacniaczy mocy RF
  • Moduły wielołatowe, w których wymagana jest montaż bezprzewodowa
  • Sprzęt przemysłowy i infrastrukturalny o długiej żywotności
  • Systemy narażone na powtarzające się cykle cieplne


Kondensatory MOS odporne na zmęczenie dipolowe 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip do montażu BGA na poziomie płytki