คอนเดสซิเตอร์ MOS ทนทานความอ่อนเพลียแบบไดโพล 220 pF 30V ชิปเตรียมพร้อม Flip-Chip สําหรับการประกอบ BGA ระดับเวฟเฟอร์

HFC221S30V220 หน่วยความอ่อนเพลียแบบสองขั้ว ทนต่อความอ่อนเพลียของ MOS

สรุปคือHFC221S30V220 เป็นเครื่องประกอบความหนา MOS แบบชั้นเดียว 220 pF 30 V ที่สร้างขึ้นจากซิลิคอนโซนพลอยความต้านทานสูงที่มีสารดิบ SiO2 ที่ปลูกด้วยอุณหภูมิมันถูกออกแบบสําหรับวงจรที่ต้องถือความจุคงที่คงที่ในหลายสนามและวงจรความร้อน, และมันถูกจัดส่งด้วยการสิ้นสุด micro-bump ระดับ wafer สําหรับ flip-chip, bondwire-free assembly. ค่านิยมความจุและการจัดวาง bump มีให้เลือก.

ความ จริง สําคัญ

Flip-Chip พร้อมสําหรับการประกอบที่ไม่มีสายเชื่อม

ชิปจะจบด้วยการกระแทกขนาดเล็กในระดับกระดาษข้อมือเพื่อให้มันสามารถวางโดยตรงบนแผ่น laminate, เซรามิคหรือซิลิคอน interposers โดยเครื่องผูก flip-chip มาตรฐานซึ่งเป็นแหล่งหลักของแรงดึงดูดชุดและความเหนื่อยล้าทางเครื่องจักรกลในชุดวงจรสูง.

• ติดต่อโดยตรงแบบฟลิปชิป ไม่มีห่วงสายทอง
• ชิปภายใน ESL < 0.05 nH; ความสอดคล้องเรียง > 5 GHz
• ความต้านทานต่อการสัมผัสชนิดที่มั่นคง ภายในวงจรความร้อนซ้ํา ๆ

BGA ระดับกระดาน / Micro-Bump พร้อม

อุปกรณ์แต่ละชิ้นถูกผลิตด้วย UBM ระดับวอลเฟอร์ และซอนด์วอลเฟอร์ 100% ดังนั้นมันจึงหล่นตรงไปยังการบรรจุระดับวอลเฟอร์และกระแสการไหลกลับ BGA โดยไม่ต้องมีการประมวลผลด้านหลัง

• มิโครบัมป์จากเสาทองแดงที่มีหมวกผสม SnAg ความยาว 80 μm (มีความยาวตามต้องการ)
• MSL 1 ระยะเวลาการใช้งานชั้น; คลื่นกลับสูงสุดถึง 260 °C
• การทดสอบไฟฟ้าระดับกระดาน 100% ด้วยแผนที่กระดานดิจิตอล

การใช้งาน

• วงจร RF ไซก์สูงและวงจร RF กระแทก
• วงจรเรซอนาเตอร์และถังที่ต้องการความมั่นคงระยะยาว
• การแยกฟลิปชิปสําหรับเครื่องขยายกําลัง RF
• โมดูลหลายชิปที่ต้องการการประกอบแบบไม่มีสายเชื่อม
• อุปกรณ์อุตสาหกรรมและพื้นฐานที่มีอายุการใช้งานยาว
• ระบบที่ถูกเปิดเผยต่อวงจรความร้อนซ้ํา ๆ