HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HFC221S30V220 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف، تي/تي |
باختصار:HFC221S30V220 هو مكثف MOS ذو طبقة واحدة 220 pF و 30 V مبني على السيليكون ذو المنطقة العائمة عالية المقاومة مع الديالكترول SiO2 المزروع حراريًا.وهي مصممة للدوائر التي يجب أن تحتفظ بقدرة ثابتة على العديد من المجال والدورات الحراريةيتم توفيرها مع إنهاء الصدمة الدقيقة على مستوى الوافر لجمع رقاقة مقلبة ، خالية من الأسلاك. تتوفر قيم سعة مخصصة وتخطيطات صدمة.
| البند | القيمة |
| العلامة التجارية | هوان |
| النموذج | HFC221S30V220 |
| الفئة | مكثفات MOS |
| السعة | 220 pF ± 10% (مخصص 10 pF-1000 pF) |
| الجهد المشترك المسموح به | 30 فولت |
| الديليكتريك | SiO2 الحراري، الكهربائي شبه (300 نانومتر) |
| الإنهاء | البمب الميكرو من العمود النحاسي / اللحام BGA |
| حجم الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم |
| درجة حرارة العمل | -55 °C إلى +125 °C |
| مكان المنشأ | شانشي، الصين |
| الشهادة | إيزو 9001:2015، RoHS |
| الـ MOQ | 10 قطع |
| وقت التنفيذ | 5-7 أيام عمل للمخزون، 3-4 أسابيع للإنتاج |
يتم إنهاء الشريحة بمضرب ميكرو متماثل على مستوى الوافر بحيث يمكن وضعه مباشرة على المواد المتداخلة من الملمس أو السيراميك أو السيليكون بواسطة ربط شريحة مقلبة قياسية. هذا يزيل روابط الأسلاك الذهبية ،والتي هي المصدر الرئيسي للاندكتانس التسلسلي وتعب الكعب الميكانيكي في مجموعات الدورة العالية.
يتم إنتاج كل جهاز مع UBM على مستوى الوافر ومسبار الوافر بنسبة 100٪ ، لذلك يسقط مباشرة في التعبئة على مستوى الوافر وتدفقات BGA بدون معالجة خلفية إضافية.
