HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HFC221S30V220 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약: HFC221S30V220은 고저항 부유대 실리콘 위에 열적으로 성장된 SiO2 유전체를 사용하여 제작된 220 pF, 30 V 단층 MOS 커패시터입니다. 이 제품은 여러 필드 및 열 사이클에 걸쳐 안정적인 커패시턴스를 유지해야 하는 회로를 위해 설계되었으며, 플립칩, 본드와이어 프리 조립을 위한 웨이퍼 레벨 마이크로 범프 종단 처리가 되어 있습니다. 맞춤형 커패시턴스 값 및 범프 레이아웃도 가능합니다.
| 항목 | 값 |
| 브랜드 | Hoan |
| 모델 | HFC221S30V220 |
| 카테고리 | MOS 커패시터 |
| 커패시턴스 | 220 pF ±10% (맞춤형 10 pF-1000 pF) |
| 정격 DC 전압 | 30 V |
| 유전체 | 열 SiO2, 강유전체 (300 nm) |
| 종단 | 구리 기둥 마이크로 범프 / 솔더 BGA |
| 칩 크기 | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| 작동 온도 | -55 °C ~ +125 °C |
| 원산지 | 중국 산시성 |
| 인증 | ISO 9001:2015, RoHS |
| 최소 주문 수량 | 10개 |
| 납기 | 재고 5-7 영업일, 생산 3-4주 |
이 칩은 대칭적인 웨이퍼 레벨 마이크로 범프로 종단 처리되어 표준 플립칩 본더로 라미네이트, 세라믹 또는 실리콘 인터포저에 직접 장착할 수 있습니다. 이를 통해 고주기 조립에서 직렬 인덕턴스와 기계적 힐 피로의 주요 원인인 금선 본딩을 제거할 수 있습니다.
모든 장치는 웨이퍼 레벨 UBM으로 생산되고 100% 웨이퍼 프로브 테스트를 거치므로 추가적인 후처리 없이 웨이퍼 레벨 패키징 및 BGA 리플로우 공정에 바로 적용할 수 있습니다.
