Tụ điện MOS chống mỏi lưỡng cực 220 pF 30V sẵn sàng Flip-Chip Chip cho lắp ráp BGA cấp wafer

Tụ MOS Chống Mỏi HFC221S30V220 Sẵn Sàng Flip-Chip — 220 pF 30V

Nói ngắn gọn: HFC221S30V220 là tụ MOS một lớp 220 pF, 30 V được chế tạo trên silicon float-zone có điện trở suất cao với lớp điện môi SiO2 được phát triển bằng nhiệt. Nó được thiết kế cho các mạch phải duy trì điện dung ổn định qua nhiều chu kỳ trường và nhiệt, và nó được cung cấp với lớp hoàn thiện micro-bump cấp độ wafer để lắp ráp flip-chip, không có dây liên kết. Các giá trị điện dung tùy chỉnh và bố cục bump có sẵn.

Thông tin chính

Sẵn Sàng Flip-Chip Để Lắp Ráp Không Dây Liên Kết

Chip được hoàn thiện với micro-bump đối xứng cấp độ wafer để có thể đặt trực tiếp lên các lớp nền, gốm hoặc silicon bằng máy hàn flip-chip tiêu chuẩn. Điều này loại bỏ các dây liên kết vàng, là nguồn chính của điện cảm nối tiếp và mỏi gót cơ học trong các cụm có chu kỳ cao.

• Gắn kết flip-chip trực tiếp, không có dây liên kết vàng
• ESL chip nội tại 5 GHz
• Điện trở tiếp xúc bump ổn định qua chu kỳ nhiệt lặp lại

Sẵn Sàng BGA / Micro-Bump Cấp Độ Wafer

Mọi thiết bị đều được sản xuất với UBM cấp độ wafer và kiểm tra wafer 100%, do đó nó có thể lắp trực tiếp vào quy trình đóng gói cấp độ wafer và quy trình hàn lại BGA mà không cần xử lý thêm ở giai đoạn sau.

• Micro-bump trụ đồng với lớp phủ hàn SnAg, bước nhảy 80 µm (bước nhảy tùy chỉnh có sẵn)
• Thời gian sử dụng trên sàn MSL 1; hàn lại đến đỉnh 260 °C
• Kiểm tra điện 100% cấp độ wafer với bản đồ wafer kỹ thuật số

Ứng dụng

• Mạch chuyển mạch RF chu kỳ cao và mạch RF xung
• Mạch cộng hưởng và mạch cộng hưởng yêu cầu độ ổn định lâu dài
• Tách rời flip-chip cho bộ khuếch đại công suất RF
• Các mô-đun đa chip yêu cầu lắp ráp không dây liên kết
• Thiết bị công nghiệp và cơ sở hạ tầng có tuổi thọ cao
• Hệ thống tiếp xúc với chu kỳ nhiệt lặp lại