Dipole-Ermüdungsbeständige MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Flip-Chip-Ready-Chip für Wafer-Level-BGA-Montage

HFC221S30V220 Dipole-Ermüdungsbeständiger MOS-Kondensator

Kurz gesagt:Der HFC221S30V220 ist ein 220 pF, 30 V einlagiger MOS-Kondensator, der auf hochwiderstandsfähigem Float-Zone-Silizium mit einem thermisch angebauten SiO2-Dielectric gebaut wurde.Es ist für Schaltkreise konzipiert, die eine stabile Kapazität über viele Feld- und Wärmekreise halten müssen, und es wird mit Wafer-Level-Micro-Bump-Termination für Flip-Chip, Bondwire-freie Montage geliefert.

Die wichtigsten Fakten

Flip-Chip bereit für Bindungsstrang-freie Montage

Der Chip wird mit einem symmetrischen Mikro-Bump auf Wafer-Ebene beendet, so dass er direkt auf Laminat-, Keramik- oder Silizium-Interposatoren mit einem Standard-Flip-Chip-Bindemittel platziert werden kann.die die Hauptursache für die Serieninduktivität und die mechanische Fettleibigkeit in Hochzyklusbaugruppen sind.

• Direktes Flip-Chip-Anschließen, keine Golddrahtbindungen
• Innerer Chip ESL < 0,05 nH; Serienresonanz > 5 GHz
• Stabiler Stoßkontaktwiderstand bei wiederholtem thermischen Zyklus

Wafer-Level BGA / Mikrobump bereit

Jedes Gerät wird mit Wafer-Level-UBM und 100% Wafer-Sonde hergestellt, so dass es direkt in die Wafer-Level-Verpackung und BGA-Rückflussflüsse ohne zusätzliche Back-End-Verarbeitung fällt.

• Kupfer-Säulen-Mikro-Bump mit SnAg-Lötkappe, 80 μm Schräg (anpassbarer Schräg)
• MSL 1-Bodenlebensdauer; Rückfluss bis zu 260 °C
• 100%ige elektrische Prüfung auf Waferebene mit digitaler Waferkarte

Anwendungen

• Hochzyklus-HF-Schaltkreise und pulsierende HF-Schaltkreise
• Resonator- und Tankkreise, die eine langfristige Stabilität erfordern
• Flipchip-Entkopplung für HF-Leistungsverstärker
• Mehrchip-Module, bei denen eine bindungsfreie Montage erforderlich ist
• Industrie- und Infrastrukturgeräte mit langer Lebensdauer
• Systeme, die wiederholtem Wärmezyklus ausgesetzt sind