details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Dipolaire vermoeidheidsbestendige MOS-condensatoren 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip voor waferniveau BGA-assemblage

Dipolaire vermoeidheidsbestendige MOS-condensatoren 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip voor waferniveau BGA-assemblage

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HFC221S30V220
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Capaciteit:
220 pF ±10%
Maatwerk:
Aangepaste capaciteit 10 pF-1000 pF, bump pitch en matrijsgeometrie beschikbaar
Bumptype:
Koperen zuil met SnAg-soldeerkap
Bump-pitch:
80 µm (op maat leverbaar)
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Vochtgevoeligheid:
MSL 1 (J-STD-020)
Markeren:

Dipolaire MOS condensator 220 pF

,

Vermoeidheidsbestendige MOS-condensator 30V

,

Flip-Chip Ready MOS condensator

Productomschrijving

HFC221S30V220 Dipool Vermoeiingsbestendige MOS-condensator — 220 pF 30V Flip-Chip Klaar


In het kort: De HFC221S30V220 is een 220 pF, 30 V enkellaags MOS-condensator gebouwd op silicium met een hoge weerstand van float-zone met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. Het is ontworpen voor circuits die een stabiele capaciteit moeten behouden over vele veld- en thermische cycli, en het wordt geleverd met micro-bump-terminatie op wafer-niveau voor flip-chip, bondwire-vrije assemblage. Aangepaste capaciteitswaarden en bump-lay-outs zijn beschikbaar.


Belangrijkste feiten


Artikel Waarde
Merk Hoan
Model HFC221S30V220
Categorie MOS-condensatoren
Capaciteit 220 pF ±10% (aangepast 10 pF-1000 pF)
Nominale DC-spanning 30 V
Diëlektricum Thermische SiO2, para-elektrisch (300 nm)
Terminatie Koperen pilaar micro-bump / soldeer BGA
Chipgrootte 0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Bedrijfstemperatuur -55 °C tot +125 °C
Plaats van herkomst Shaanxi, China
Certificering ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 stuks
Levertijd 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie


Flip-Chip Klaar voor Bondwire-Vrije Assemblage


De chip is afgewerkt met een symmetrische micro-bump op wafer-niveau, zodat deze direct op laminaat-, keramische of silicium-interposers kan worden geplaatst met een standaard flip-chip bonder. Dit elimineert gouden draadbonds, die de belangrijkste bron zijn van serielinductie en mechanische hielvermoeidheid in assemblages met hoge cycli.

  • Directe flip-chip bevestiging, geen gouden draadbonds
  • Intrinsieke chip ESL 5 GHz
  • Stabiele bump contactweerstand over herhaalde thermische cycli


Wafer-Level BGA / Micro-Bump Klaar


Elk apparaat wordt geproduceerd met wafer-level UBM en 100% wafer probe, zodat het direct in wafer-level packaging en BGA reflow flows past zonder extra back-end processing.

  • Koperen pilaar micro-bump met SnAg soldeerdop, 80 µm pitch (aangepaste pitch beschikbaar)
  • MSL 1 vloerleven; reflow tot 260 °C piek
  • 100% elektrische test op wafer-niveau met digitale waferkaart


Toepassingen


  • RF-schakelaars met hoge cycli en gepulste RF-circuits
  • Resonator- en tankcircuits die langdurige stabiliteit vereisen
  • Flip-chip ontkoppeling voor RF-vermogensversterkers
  • Multi-chip modules waar bondwire-vrije assemblage vereist is
  • Industriële en infrastructuurapparatuur met een lange levensduur
  • Systemen blootgesteld aan herhaalde thermische cycli


Dipolaire vermoeidheidsbestendige MOS-condensatoren 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip voor waferniveau BGA-assemblage