| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HFC221S30V220 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | L/C, D/A, D/P, T/T |
In het kort: De HFC221S30V220 is een 220 pF, 30 V enkellaags MOS-condensator gebouwd op silicium met een hoge weerstand van float-zone met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. Het is ontworpen voor circuits die een stabiele capaciteit moeten behouden over vele veld- en thermische cycli, en het wordt geleverd met micro-bump-terminatie op wafer-niveau voor flip-chip, bondwire-vrije assemblage. Aangepaste capaciteitswaarden en bump-lay-outs zijn beschikbaar.
| Artikel | Waarde |
| Merk | Hoan |
| Model | HFC221S30V220 |
| Categorie | MOS-condensatoren |
| Capaciteit | 220 pF ±10% (aangepast 10 pF-1000 pF) |
| Nominale DC-spanning | 30 V |
| Diëlektricum | Thermische SiO2, para-elektrisch (300 nm) |
| Terminatie | Koperen pilaar micro-bump / soldeer BGA |
| Chipgrootte | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Bedrijfstemperatuur | -55 °C tot +125 °C |
| Plaats van herkomst | Shaanxi, China |
| Certificering | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 stuks |
| Levertijd | 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie |
De chip is afgewerkt met een symmetrische micro-bump op wafer-niveau, zodat deze direct op laminaat-, keramische of silicium-interposers kan worden geplaatst met een standaard flip-chip bonder. Dit elimineert gouden draadbonds, die de belangrijkste bron zijn van serielinductie en mechanische hielvermoeidheid in assemblages met hoge cycli.
Elk apparaat wordt geproduceerd met wafer-level UBM en 100% wafer probe, zodat het direct in wafer-level packaging en BGA reflow flows past zonder extra back-end processing.
![]()