Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Конденсаторы MOS, устойчивые к дипольной усталости 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip для сборки BGA на уровне вафеля

Конденсаторы MOS, устойчивые к дипольной усталости 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip для сборки BGA на уровне вафеля

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХФУ221С30В220
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Емкость:
220 пФ ±10%
Кастомизация:
Возможна нестандартная емкость от 10 до 1000 пФ, шаг выступа и геометрия кристалла.
Тип удара:
Медный столбик с колпачком под припой SnAg
Ударный шаг:
80 мкм (доступно по индивидуальному заказу)
РоХС:
Соответствует (ЕС 2015/863)
Уровень чувствительности к влаге:
МСЛ 1 (J-STD-020)
Выделить:

Дипольный конденсатор MOS 220 pF

,

Устойчивый к усталости MOS конденсатор 30 В

,

Конденсатор Flip-Chip Ready MOS

Характер продукции

HFC221S30V220 Дипольный усталостной MOS конденсатор ¥ 220 pF 30V Flip-Chip Ready


Короче говоря:HFC221S30V220 - это однослойный конденсатор MOS мощностью 220 пФ и 30 В, построенный на высокорезистивном кремниевом плавучем зоне с тепловым диэлектриком SiO2.Он предназначен для цепей, которые должны поддерживать стабильную емкость на протяжении многих полевых и тепловых циклов, и поставляется с микро-накопкой на уровне пластины для сборки без связки.


Основные факты


Положение Стоимость
Бренд Хоан
Модель HFC221S30V220
Категория Конденсаторы MOS
Пропускная способность 220 pF ±10% (по индивидуальному заказу 10 pF-1000 pF)
Номинальное постоянное напряжение 30 В
Диэлектрический Тепловой SiO2, параэлектрический (300 нм)
Прекращение Медно-столповой микро-удар / сварщик BGA
Размер чипа 00,50 x 0,50 x 0,15 мм
Операционная температура -55 °C до +125 °C
Место происхождения Шэньси, Китай
Сертификация ISO 9001:2015, RoHS
МОК 10 штук
Продолжительность 5-7 рабочих дней для запасов, 3-4 недели для производства


Flip-Chip готов к сборке без проводов


Чип заканчивается симметричным микро-бомпом на уровне вафеля, чтобы его можно было поместить непосредственно на ламинатные, керамические или кремниевые интерпозеры стандартным флип-чиповым связующим устройством.которые являются основным источником серийной индуктивности и механической усталости пятки в сборах с высоким циклом.

  • Прямая крепка на флип-чипе, без золотых проводов
  • Внутренний чип ESL < 0,05 nH; серийный резонанс > 5 ГГц
  • Стабильное сопротивление при контакте с ударом при повторном тепловом цикле


Готовность BGA / Micro-Bump на уровне пластинки


Каждое устройство изготавливается с UBM на уровне пластинки и 100%-ным зондом пластинки, поэтому оно попадает прямо в упаковку на уровне пластинки и BGA-поток без дополнительной обратной обработки.

  • Медно-столповая микро-нагрудка с запорной крышкой SnAg, высота 80 мкм (доступна индивидуальная высота)
  • Продолжительность эксплуатации MSL 1; рефлюкс до 260 °C
  • 100% электрическое испытание на уровне пластины с цифровой картой пластины


Заявления


  • Высокоцикличные радиочастотные переключатели и импульсные радиочастотные схемы
  • Круги резонатора и резервуара, требующие долгосрочной стабильности
  • Отсоединение флип-чипов для усилителей мощности радиочастот
  • Модули с несколькими микросхемами, для которых требуется сборка без проводов
  • Промышленное и инфраструктурное оборудование с длительным сроком службы
  • Системы, подвергающиеся повторному тепловому циклированию


Конденсаторы MOS, устойчивые к дипольной усталости 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip для сборки BGA на уровне вафеля