HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HFC221S30V220 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
সংক্ষেপে: HFC221S30V220 হল একটি 220 pF, 30 V একক-স্তর MOS ক্যাপাসিটর যা উচ্চ-প্রতিরোধক ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর নির্মিত একটি তাপীয়ভাবে উৎপন্ন SiO2 ডাইইলেকট্রিক সহ। এটি এমন সার্কিটগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেগুলিকে অনেক ফিল্ড এবং থার্মাল সাইকেল জুড়ে একটি স্থিতিশীল ক্যাপাসিট্যান্স ধরে রাখতে হবে এবং এটি ফ্লিপ-চিপ, বন্ডওয়্যার-ফ্রি অ্যাসেম্বলির জন্য ওয়েফার-লেভেল মাইক্রো-বাম্প টার্মিনেশন সহ সরবরাহ করা হয়। কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান এবং বাম্প লেআউট উপলব্ধ।
| আইটেম | মান |
| ব্র্যান্ড | হোয়ান |
| মডেল | HFC221S30V220 |
| বিভাগ | MOS ক্যাপাসিটর |
| ক্যাপাসিট্যান্স | 220 pF ±10% (কাস্টম 10 pF-1000 pF) |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | 30 V |
| ডাইইলেকট্রিক | থার্মাল SiO2, প্যারালেক্ট্রিক (300 nm) |
| টার্মিনেশন | কপার-পিলার মাইক্রো-বাম্প / সোল্ডার BGA |
| চিপের আকার | 0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C থেকে +125 °C |
| উৎপত্তিস্থল | শানসি, চীন |
| সার্টিফিকেশন | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 পিস |
| লিড টাইম | স্টকের জন্য 5-7 কার্যদিবস, উৎপাদনের জন্য 3-4 সপ্তাহ |
চিপটি একটি প্রতিসম ওয়েফার-লেভেল মাইক্রো-বাম্প দিয়ে শেষ করা হয়েছে যাতে এটি একটি স্ট্যান্ডার্ড ফ্লিপ-চিপ বন্ডার দ্বারা সরাসরি ল্যামিনেট, সিরামিক বা সিলিকন ইন্টারপোজারে স্থাপন করা যায়। এটি সোনার তারের বন্ডগুলি সরিয়ে দেয়, যা উচ্চ-চক্রের অ্যাসেম্বলিগুলিতে সিরিজ ইন্ডাকট্যান্স এবং যান্ত্রিক হিল ক্লান্তি প্রধান উৎস।
প্রতিটি ডিভাইস ওয়েফার-লেভেল UBM এবং 100% ওয়েফার প্রোব দিয়ে তৈরি করা হয়, তাই এটি অতিরিক্ত ব্যাক-এন্ড প্রক্রিয়াকরণ ছাড়াই ওয়েফার-লেভেল প্যাকেজিং এবং BGA রিফ্লো ফ্লোতে সরাসরি প্রবেশ করে।
