उत्पादों का विवरण

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एमओएस कैपेसिटर
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डिपोल थकान प्रतिरोधी एमओएस कैपेसिटर 220 पीएफ 30 वी फ्लिप-चिप तैयार चिप वेफर-स्तर बीजीए विधानसभा के लिए

डिपोल थकान प्रतिरोधी एमओएस कैपेसिटर 220 पीएफ 30 वी फ्लिप-चिप तैयार चिप वेफर-स्तर बीजीए विधानसभा के लिए

ब्रांड का नाम: Hoan
मॉडल नंबर: HFC221S30V220
MOQ: 10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें: एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
शानक्सी, चीन
प्रमाणन:
ISO 9001:2015, RoHS
समाई:
220 पीएफ ±10%
अनुकूलन:
कस्टम कैपेसिटेंस 10 पीएफ-1000 पीएफ, बम्प पिच और डाई ज्योमेट्री उपलब्ध है
टक्कर प्रकार:
SnAg सोल्डर कैप के साथ तांबे का खंभा
बम्प पिच:
80 µm (कस्टम उपलब्ध)
RoHS:
आज्ञाकारी (ईयू 2015/863)
नमी संवेदनशीलता स्तर:
एमएसएल 1 (जे-एसटीडी-020)
प्रमुखता देना:

डिपोल MOS कैपेसिटर 220 pF

,

फैटीग प्रतिरोधी MOS कैपेसिटर 30V

,

फ्लिप-चिप रेडी MOS कैपेसिटर

उत्पाद का वर्णन

HFC221S30V220 डायपोल थकान प्रतिरोधी एमओएस कैपेसिटर


संक्षेप में:HFC221S30V220 एक 220 pF, 30 V एकल-परत MOS कैपेसिटर है जो एक थर्मल रूप से उगाए गए SiO2 डाइलेक्ट्रिक के साथ उच्च प्रतिरोधता फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर बनाया गया है।यह सर्किट के लिए डिज़ाइन किया गया है जो कई क्षेत्र और थर्मल चक्रों पर स्थिर क्षमता बनाए रखना चाहिए, और यह फ्लिप-चिप, बॉन्डवायर-मुक्त असेंबली के लिए वेफर-स्तरीय माइक्रो-बंप टर्मिनेशन के साथ आपूर्ति की जाती है। कस्टम क्षमता मान और बंप लेआउट उपलब्ध हैं।


प्रमुख तथ्य


पद मूल्य
ब्रांड होन
मॉडल HFC221S30V220
श्रेणी एमओएस संधारित्र
क्षमता 220 पीएफ ±10% (कस्टम 10 पीएफ-1000 पीएफ)
नामित डीसी वोल्टेज 30 वी
डायलेक्ट्रिक थर्मल SiO2, पैराइलेक्ट्रिक (300 एनएम)
समाप्ति तांबा-स्तंभ माइक्रो-बंप / सोल्डर बीजीए
चिप का आकार 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी
ऑपरेटिंग तापमान -55 °C से +125 °C
मूल स्थान शांक्सी, चीन
प्रमाणन आईएसओ 9001:2015RoHS
एमओक्यू 10 टुकड़े
लीड टाइम स्टॉक के लिए 5-7 कार्यदिवस, उत्पादन के लिए 3-4 सप्ताह


फ्लिप-चिप बॉन्डवायर-मुक्त असेंबली के लिए तैयार


चिप को एक सममित वेफर स्तर के माइक्रो-बंप के साथ समाप्त किया जाता है ताकि इसे सीधे एक मानक फ्लिप-चिप बॉन्डर द्वारा लैमिनेट, सिरेमिक या सिलिकॉन इंटरपोसर्स पर रखा जा सके। यह सोने की तार बॉन्ड को हटा देता है,जो उच्च चक्र के संयोजनों में श्रृंखला प्रेरण और यांत्रिक एड़ी थकान का मुख्य स्रोत हैं.

  • प्रत्यक्ष फ्लिप-चिप संलग्न, कोई सोने के तार बंधन
  • आंतरिक चिप ESL <0.05 nH; श्रृंखला अनुनाद >5 GHz
  • बार-बार थर्मल साइकिल पर स्थिर टक्कर संपर्क प्रतिरोध


वेफर-स्तरीय बीजीए/माइक्रो-बंप तैयार


प्रत्येक उपकरण को वेफर स्तर के यूबीएम और 100% वेफर जांच के साथ निर्मित किया जाता है, इसलिए यह अतिरिक्त बैक-एंड प्रसंस्करण के बिना सीधे वेफर स्तर के पैकेजिंग और बीजीए रिफ्लो प्रवाह में गिरता है।

  • तांबे-स्तंभ माइक्रो-बंप SnAg सोल्डर टोपी के साथ, 80 μm पिच (अनुकूलित पिच उपलब्ध)
  • MSL 1 मंजिल जीवन; 260 °C तक का पीक रिफ्लो
  • डिजिटल वेफर मानचित्र के साथ 100% वेफर स्तर पर विद्युत परीक्षण


आवेदन


  • उच्च चक्र आरएफ स्विचिंग और पल्स आरएफ सर्किट
  • दीर्घकालिक स्थिरता की आवश्यकता वाले प्रतिध्वनक और टैंक सर्किट
  • आरएफ पावर एम्पलीफायरों के लिए फ्लिप-चिप डिकोपलिंग
  • मल्टी चिप मॉड्यूल जहां बॉन्डवायर मुक्त असेंबली की आवश्यकता होती है
  • लंबी सेवा जीवन के साथ औद्योगिक और बुनियादी ढांचा उपकरण
  • बार-बार थर्मल साइकिल के संपर्क में आने वाली प्रणालियाँ


डिपोल थकान प्रतिरोधी एमओएस कैपेसिटर 220 पीएफ 30 वी फ्लिप-चिप तैयार चिप वेफर-स्तर बीजीए विधानसभा के लिए

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