| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HFC221S30V220 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी |
संक्षेप में:HFC221S30V220 एक 220 pF, 30 V एकल-परत MOS कैपेसिटर है जो एक थर्मल रूप से उगाए गए SiO2 डाइलेक्ट्रिक के साथ उच्च प्रतिरोधता फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर बनाया गया है।यह सर्किट के लिए डिज़ाइन किया गया है जो कई क्षेत्र और थर्मल चक्रों पर स्थिर क्षमता बनाए रखना चाहिए, और यह फ्लिप-चिप, बॉन्डवायर-मुक्त असेंबली के लिए वेफर-स्तरीय माइक्रो-बंप टर्मिनेशन के साथ आपूर्ति की जाती है। कस्टम क्षमता मान और बंप लेआउट उपलब्ध हैं।
| पद | मूल्य |
| ब्रांड | होन |
| मॉडल | HFC221S30V220 |
| श्रेणी | एमओएस संधारित्र |
| क्षमता | 220 पीएफ ±10% (कस्टम 10 पीएफ-1000 पीएफ) |
| नामित डीसी वोल्टेज | 30 वी |
| डायलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, पैराइलेक्ट्रिक (300 एनएम) |
| समाप्ति | तांबा-स्तंभ माइक्रो-बंप / सोल्डर बीजीए |
| चिप का आकार | 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C से +125 °C |
| मूल स्थान | शांक्सी, चीन |
| प्रमाणन | आईएसओ 9001:2015RoHS |
| एमओक्यू | 10 टुकड़े |
| लीड टाइम | स्टॉक के लिए 5-7 कार्यदिवस, उत्पादन के लिए 3-4 सप्ताह |
चिप को एक सममित वेफर स्तर के माइक्रो-बंप के साथ समाप्त किया जाता है ताकि इसे सीधे एक मानक फ्लिप-चिप बॉन्डर द्वारा लैमिनेट, सिरेमिक या सिलिकॉन इंटरपोसर्स पर रखा जा सके। यह सोने की तार बॉन्ड को हटा देता है,जो उच्च चक्र के संयोजनों में श्रृंखला प्रेरण और यांत्रिक एड़ी थकान का मुख्य स्रोत हैं.
प्रत्येक उपकरण को वेफर स्तर के यूबीएम और 100% वेफर जांच के साथ निर्मित किया जाता है, इसलिए यह अतिरिक्त बैक-एंड प्रसंस्करण के बिना सीधे वेफर स्तर के पैकेजिंग और बीजीए रिफ्लो प्रवाह में गिरता है।
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