Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateurs MOS à résistance à la fatigue dipolaire 220 pF 30V prêts pour assemblage Flip-Chip sur plaquette BGA

Condensateurs MOS à résistance à la fatigue dipolaire 220 pF 30V prêts pour assemblage Flip-Chip sur plaquette BGA

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HFC221S30V220
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Capacitance:
220 pF ±10 %
Personnalisation:
Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, pas de bosse et géométrie de matrice disponibles
Type de bosse:
Pilier en cuivre avec capuchon à souder SnAg
Pas de bosse:
80 µm (personnalisé disponible)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Niveau de sensibilité à l'humidité:
MSL1 (J-STD-020)
Mettre en évidence:

Condensateur MOS à dipôle 220 pF

,

Condensateur MOS résistant à la fatigue 30V

,

Condensateur MOS prêt à être branché

Description de produit

Condensateur MOS HFC221S30V220 résistant à la fatigue par dipôle — 220 pF 30V prêt pour assemblage flip-chip


En bref : Le HFC221S30V220 est un condensateur MOS monocouche de 220 pF, 30 V, construit sur du silicium flottant à haute résistivité avec un diélectrique SiO2 thermiquement greffé. Il est conçu pour les circuits qui doivent maintenir une capacité stable sur de nombreux cycles de champ et thermiques, et il est fourni avec une terminaison micro-bump au niveau du wafer pour un assemblage flip-chip sans fils de liaison. Des valeurs de capacité et des agencements de bumps personnalisés sont disponibles.


Faits clés


Article Valeur
Marque Hoan
Modèle HFC221S30V220
Catégorie Condensateurs MOS
Capacité 220 pF ±10% (personnalisé 10 pF-1000 pF)
Tension continue nominale 30 V
Diélectrique SiO2 thermique, paraélectrique (300 nm)
Terminaison Micro-bump pilier cuivre / BGA à souder
Taille de la puce 0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Température de fonctionnement -55 °C à +125 °C
Lieu d'origine Shaanxi, Chine
Certification ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 pièces
Délai de livraison 5-7 jours ouvrables pour le stock, 3-4 semaines pour la production


Prêt pour assemblage flip-chip sans fils de liaison


La puce est terminée par un micro-bump symétrique au niveau du wafer, ce qui permet de la placer directement sur des interposeurs en stratifié, céramique ou silicium à l'aide d'une machine de brasage flip-chip standard. Cela élimine les fils de liaison en or, qui sont la principale source d'inductance série et de fatigue mécanique du talon dans les assemblages à cycles élevés.

  • Connexion flip-chip directe, pas de fils de liaison en or
  • ESL intrinsèque de la puce5 GHz
  • Résistance de contact de bump stable sur des cycles thermiques répétés


Prêt pour BGA / Micro-Bump au niveau du wafer


Chaque appareil est produit avec une UBM au niveau du wafer et un test au wafer à 100%, il s'intègre donc directement dans les flux d'encapsulation au niveau du wafer et de refusion BGA sans traitement supplémentaire en aval.

  • Micro-bump pilier cuivre avec capuchon de soudure SnAg, pas de 80 µm (pas personnalisé disponible)
  • Durée de vie au sol MSL 1 ; refusion jusqu'à 260 °C de pic
  • Test électrique au niveau du wafer à 100% avec carte de wafer numérique


Applications


  • Circuits RF à commutation et à impulsions à cycles élevés
  • Circuits résonants et circuits d'accord nécessitant une stabilité à long terme
  • Découplage flip-chip pour amplificateurs de puissance RF
  • Modules multi-puces où un assemblage sans fils de liaison est requis
  • Équipements industriels et d'infrastructure avec une longue durée de vie
  • Systèmes exposés à des cycles thermiques répétés


Condensateurs MOS à résistance à la fatigue dipolaire 220 pF 30V prêts pour assemblage Flip-Chip sur plaquette BGA