Kapasitor MOS Tahan Lelah Dipol 220 pF 30V Chip Siap Flip-Chip untuk Perakitan BGA Tingkat Wafer

Kapasitor MOS Tahan Lelah Dipole HFC221S30V220 — 220 pF 30V Siap Flip-Chip

Singkatnya: HFC221S30V220 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 220 pF, 30 V yang dibangun di atas silikon float-zone resistivitas tinggi dengan dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal. Kapasitor ini dirancang untuk sirkuit yang harus mempertahankan kapasitansi stabil selama banyak siklus medan dan termal, dan dipasok dengan terminasi micro-bump tingkat wafer untuk perakitan flip-chip tanpa kawat ikatan. Nilai kapasitansi dan tata letak bump khusus tersedia.

Fakta Kunci

Siap Flip-Chip untuk Perakitan Bebas Kawat Ikatan

Chip diakhiri dengan micro-bump simetris tingkat wafer sehingga dapat ditempatkan langsung pada interposer laminat, keramik, atau silikon oleh bonder flip-chip standar. Ini menghilangkan kawat ikatan emas, yang merupakan sumber utama induktansi seri dan kelelahan tumit mekanis dalam rakitan siklus tinggi.

• Lampiran flip-chip langsung, tanpa kawat ikatan emas
• ESL chip intrinsik 5 GHz
• Resistansi kontak bump stabil selama siklus termal berulang

Siap BGA / Micro-Bump Tingkat Wafer

Setiap perangkat diproduksi dengan UBM tingkat wafer dan probe wafer 100%, sehingga langsung masuk ke pengemasan tingkat wafer dan aliran reflow BGA tanpa pemrosesan back-end tambahan.

• Micro-bump pilar tembaga dengan tutup solder SnAg, pitch 80 µm (pitch kustom tersedia)
• MSL 1 lantai hidup; reflow hingga puncak 260 °C
• Uji listrik tingkat wafer 100% dengan peta wafer digital

Aplikasi

• Sirkuit switching RF siklus tinggi dan sirkuit RF berdenyut
• Resonator dan sirkuit tangki yang membutuhkan stabilitas jangka panjang
• Decoupling flip-chip untuk penguat daya RF
• Modul multi-chip di mana perakitan bebas kawat ikatan diperlukan
• Peralatan industri dan infrastruktur dengan masa pakai yang lama
• Sistem yang terpapar pada siklus termal berulang