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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC151S25V550
MOQ:	10個
支払い条件:	T/T、L/C、D/A、D/P

詳細情報

製品の説明

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起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015

1GHzでのESR:

標準 0.10 オーム、最大 0.15 オーム (ディエンベデッド)

本質的なESL:

<0.05 nH

自発共鳴周波数:

>2 GHz チップのみ、>800 MHz (1.0 mm Au ワイヤ付き)

TCC:

0 +/-30 ppm/℃ (-55 ℃ ～ +125 ℃)

DCバイアス係数:

<10 ppm/V (0 ～ 25 V)

基板:

フロートゾーンシリコン >1000 Ohm-cm

誘電:

約。 300 nm 熱 SiO2

ハイライト:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

製品の説明

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ