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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC151S25V550
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015

VES a 1 GHz:

Tipico 0,10 Ohm, massimo 0,15 Ohm (non integrato)

ESL intrinseca:

<0,05 nH

Frequenza di auto-risonanza:

Solo chip >2 GHz, >800 MHz con filo Au da 1,0 mm

TCC:

0 +/-30 ppm/C (da -55 C a +125 C)

Coefficiente di polarizzazione CC:

<10 ppm/V (0-25 V)

Substrato:

Silicio a zona flottante >1000 Ohm-cm

Dielettrico:

ca. SiO2 termico da 300 nm

Evidenziare:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Descrizione di prodotto

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Etichette:

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