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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HACC151S25V550
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	T/T, L/C, D/A, D/P

Informations détaillées

Description de produit

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Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015

ESR à 1 GHz:

Typique 0,10 Ohm, maximum 0,15 Ohm (dé-intégré)

ESL intrinsèque:

<0,05 nH

Fréquence auto-résonante:

Puce > 2 GHz uniquement, > 800 MHz avec fil Au de 1,0 mm

TCC:

0 +/-30 ppm/C (-55 C à +125 C)

Coefficient de polarisation CC:

<10 ppm/V (0-25 V)

Substrat:

Silicium à zone flottante > 1 000 Ohm-cm

Diélectrique:

env. SiO2 thermique 300 nm

Mettre en évidence:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Description de produit

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Étiquettes:

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