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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC151S25V550
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/A,D/P

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015

ESR bei 1 GHz:

Typisch 0,10 Ohm, maximal 0,15 Ohm (de-embedded)

Intrinsische ESL:

<0,05 nH

Selbstresonanzfrequenz:

Nur >2-GHz-Chip, >800 MHz mit 1,0 mm Au-Draht

TCC:

0 +/-30 ppm/C (-55 C bis +125 C)

DC-Vorspannungskoeffizient:

<10 ppm/V (0-25 V)

Substrat:

Float-Zone-Silizium >1000 Ohm-cm

Dielektrikum:

ca. 300 nm thermisches SiO2

Hervorheben:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Produkt-Beschreibung

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren