تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC151S25V550
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	تي/تي، خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015

ESR عند 1 جيجا هرتز:

النموذجي 0.10 أوم، الحد الأقصى 0.15 أوم (مدمج)

اللغة الإنجليزية كلغة ثانية (ESL) الجوهرية:

<0.05 نH

التردد ذاتي الرنين:

شريحة > 2 جيجا هرتز فقط، > 800 ميجا هرتز مع سلك Au 1.0 مم

TCC:

0 +/-30 جزء في المليون/م (-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية)

معامل التحيز العاصمة:

<10 جزء في المليون/فولت (0-25 فولت)

الركيزة:

سيليكون منطقة تعويم> 1000 أوم سم

عازل:

تقريبا. 300 نانومتر حراري SiO2

إبراز:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

وصف المنتج

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS