পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: আলোচনা সাপেক্ষ USD
Availability: InStock

ব্র্যান্ডের নাম:	Hoan
মডেল নম্বর:	HACC151S25V550
MOQ:	10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী:	T/T, L/C, D/A, D/P

বিস্তারিত তথ্য

পণ্যের বর্ণনা

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

শানসি, চীন

সাক্ষ্যদান:

ISO 9001:2015

1 GHz এ ESR:

সাধারণ 0.10 ওহম, সর্বোচ্চ 0.15 ওহম (ডি-এমবেডেড)

অন্তর্নিহিত ESL:

<0.05 nH

স্ব-অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সি:

>শুধুমাত্র 2 GHz চিপ, >800 MHz 1.0 mm Au তারের সাথে

টিসিসি:

0 +/-30 ppm/C (-55 C থেকে +125 C)

DC বায়াস সহগ:

<10 ppm/V (0-25 V)

সাবস্ট্রেট:

ফ্লোট-জোন সিলিকন >1000 ওহম-সেমি

ডাইলেট্রিক:

প্রায় 300 এনএম তাপীয় SiO2

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

পণ্যের বর্ণনা

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

ট্যাগ:

কনিক্যাল ইনডাক্টর

ব্রডব্যান্ড ইন্ডাক্টর

এয়ার কোর ইন্ডাক্টর

বায়ু কুণ্ডলী প্রবর্তক

MOS ক্যাপাসিটর