rincian produk

Rumah Produk

HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Bisa dinegosiasikan USD
Availability: InStock

Nama Merek:	Hoan
Nomor Model:	HACC151S25V550
MOQ:	10 buah
Ketentuan Pembayaran:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Shaanxi, Tiongkok

Sertifikasi:

ISO 9001:2015

ESR pada 1GHz:

Khas 0,10 Ohm, maksimum 0,15 Ohm (tidak tertanam)

ESL intrinsik:

<0,05 nH

Frekuensi resonansi diri:

Chip >2 GHz saja, >800 MHz dengan kabel Au 1,0 mm

TCC:

0 +/-30 ppm/C (-55 C hingga +125 C)

Koefisien Bias DC:

<10 ppm/V (0-25 V)

Substrat:

Silikon zona apung >1000 Ohm-cm

Dielektrik:

kira-kira. SiO2 termal 300 nm

Menyoroti:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Deskripsi Produk

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Tag:

Induktor Kerucut

Induktor Broadband

Induktor inti udara

induktor kumparan udara

Kondensator MOS