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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC151S25V550
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

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उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015

1 गीगाहर्ट्ज़ पर ईएसआर:

विशिष्ट 0.10 ओम, अधिकतम 0.15 ओम (डी-एम्बेडेड)

आंतरिक ईएसएल:

<0.05 एनएच

स्व-प्रतिध्वनि आवृत्ति:

>केवल 2 गीगाहर्ट्ज चिप, >1.0 मिमी एयू तार के साथ 800 मेगाहर्ट्ज

टीसीसी:

0 +/-30 पीपीएम/सी (-55 सी से +125 सी)

डीसी पूर्वाग्रह गुणांक:

<10 पीपीएम/वी (0-25 वी)

सब्सट्रेट:

फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन> 1000 ओम-सेमी

ढांकता हुआ:

लगभग। 300 एनएम थर्मल SiO2

प्रमुखता देना:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

उत्पाद का वर्णन

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

टैग:

शंक्वाकार प्रेरक

ब्रॉडबैंड इंडक्टर्स

एयर कोर प्रारंभ करनेवाला

वायु कुंडल प्रारंभ करनेवाला

एमओएस कैपेसिटर