فقط تراشه 2 گیگاهرتز، > 800 مگاهرتز با سیم طلا 1.0 میلیمتری
TCC:
0 +/-30 ppm/C (-55 C تا +125 C)
ضریب تعصب DC:
<10 ppm/V (0-25 V)
بستر:
سیلیکون منطقه شناور > 1000 اهم سانتی متر
دی الکتریک:
تقریبا SiO2 حرارتی 300 نانومتر
برجسته کردن:
MOS Capacitors 150 pF 25V
,
Wire Bondable Single Layer Die
,
Low TCC MOS Capacitors
توضیحات محصول
Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The