Thông thường 0,10 Ohm, tối đa 0,15 Ohm (được nhúng)
ESL nội tại:
<0,05 nH
Tần số tự cộng hưởng:
>Chỉ chip 2 GHz, >800 MHz với dây Au 1,0 mm
TCC:
0 +/-30 trang/phút/C (-55 C đến +125 C)
Hệ số thiên vị DC:
<10 trang/phút/V (0-25 V)
chất nền:
Silicon vùng nổi >1000 Ohm-cm
Điện môi:
khoảng SiO2 nhiệt 300 nm
Làm nổi bật:
MOS Capacitors 150 pF 25V
,
Wire Bondable Single Layer Die
,
Low TCC MOS Capacitors
Mô tả sản phẩm
Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The