szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Zbywalny USD
Availability: InStock

Nazwa marki:	Hoan
Numer modelu:	HACC151S25V550
MOQ:	10 sztuk
Warunki płatności:	T/T, L/C, D/A, D/P

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Shaanxi, Chiny

Orzecznictwo:

ISO 9001:2015

ESR przy 1 GHz:

Typowo 0,10 oma, maksymalnie 0,15 oma (bez osadzania)

Wewnętrzne ESL:

<0,05 nH

Częstotliwość samoocesyjna:

Tylko układ >2 GHz, >800 MHz z przewodem Au 1,0 mm

TCC:

0 +/-30 ppm/C (-55 C do +125 C)

Współczynnik odchylenia DC:

<10 ppm/V (0-25 V)

Podłoże:

Krzem w strefie pływającej >1000 Ohm-cm

Dielektryk:

ok. Termiczny SiO2 300 nm

Podkreślić:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Opis produktu

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Znaków:

Wytrzymałe kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, z możliwością połączenia drutowego SLC

Najlepszą cenę

Induktor stożkowy

Induktory szerokopasmowe

Cewka powietrzna

cewka powietrzna

Kondensatory MOS