รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC151S25V550
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T,L/C,D/A,D/P

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015

ESR ที่ 1 GHz:

โดยทั่วไป 0.10 โอห์ม, สูงสุด 0.15 โอห์ม (ยกเลิกการฝัง)

ESL ภายใน:

<0.05 nH

ความถี่ที่น่าประทับใจ:

>ชิป 2 GHz เท่านั้น >800 MHz พร้อมสาย Au 1.0 มม

ที.ซี.ซี:

0 +/-30 ppm/C (-55 C ถึง +125 C)

ค่าสัมประสิทธิ์อคติ DC:

<10 ppm/V (0-25 V)

พื้นผิว:

ซิลิคอนโฟลตโซน >1,000 โอห์ม-ซม

อิเล็กทริก:

ประมาณ SiO2 ความร้อน 300 นาโนเมตร

เน้น:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

คําอธิบายสินค้า

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS