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HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die

Name: HACC151S25V550 MOS Capacitors 150 pF 25V Q Factor 3000 Low TCC Wire Bondable Single Layer Die
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC151S25V550
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC151S25V550
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015

ESR em 1 GHz:

Típico 0,10 Ohm, máximo 0,15 Ohm (desincorporado)

ESL intrínseco:

<0,05nH

Frequência de auto-resonância:

> Somente chip de 2 GHz, > 800 MHz com fio Au de 1,0 mm

TCC:

0 +/-30 ppm/C (-55 C a +125 C)

Coeficiente de polarização DC:

<10 ppm/V (0-25 V)

Substrato:

Silício de zona flutuante >1000 Ohm-cm

Dielétrico:

aprox. SiO2 térmico de 300 nm

Destacar:

MOS Capacitors 150 pF 25V

Wire Bondable Single Layer Die

Low TCC MOS Capacitors

Descrição do produto

Photo: HACC151S25V550 single layer MOS capacitor die, 0.55 mm square, gold top pad and gold backside plane HACC151S25V550 150 pF MOS Capacitor, 25 V, Q Factor 3000 at 1 MHz, Wire Bondable Single Layer Die Single layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor on float-zone silicon for RF oscillator tank, matching and bias decoupling circuits 150 pF ±2% 25 V DC Q typ. 3000 @ 1 MHz TCC 0 ±30 ppm/°C 0.55 × 0.55 × 0.15 mm Wire bondable bare die What This Component Is The

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS