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Condensatori MOS
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Capacitori MOS resistenti alle sovratensioni 100V mono strato 470 pF Capacitore chip per sistemi di alimentazione aerospaziale

Capacitori MOS resistenti alle sovratensioni 100V mono strato 470 pF Capacitore chip per sistemi di alimentazione aerospaziale

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC471S100V470
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallizzazione del retro:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (barriera Pt)
Tipo di montaggio:
Fissabile con filo / Attacco per matrice eutettica o epossidica conduttiva AuSn
Forza di trazione del legame del filo:
>6 gf (filo Au da 25 um)
Temperatura operativa:
da -55 C a +125 C
Temperatura di conservazione:
da -65 C a +150 C
Dimensioni del chip:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Opzioni di personalizzazione:
Capacità 10-2000 pF, tensione nominale 20-200 V, die rettangolare fino a 4:1, elettrodo bordato, par
Evidenziare:

Condensatori MOS da 100 V

,

470 pF condensatore a singolo strato

,

Capacitori per sistemi di alimentazione aerospaziale

Descrizione di prodotto

Capacitore MOS con tolleranza di sovratensione HACC471S100V470 470 pF 100 V chip a singolo strato per sistemi di alimentazione aerospaziale

Definizione del prodotto:L'HACC471S100V470 è un condensatore MOS a singolo strato resistente alle sovratensioni con una capacità di 470 pF ± 10% e una potenza nominale di 100 V di corrente continua.È costruito su silicio a zona galleggiante ad alta resistività (> 1000 Ω·cm) con un SiO termico di 300 nm2di un sistema di metallizzazione a diametro di 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, di tipo dielettrico e di tipo TiW-Au top/TiW-Pt-Au backside, progettato per l'industria aerospaziale, satellitare,e altri circuiti di alimentazione ad alta affidabilità che devono tollerare eventi di sovratensione e sovratensione e utilizzare anche modelli di simulazione RF accurati.


In un'occhiata

  • Capacità: 470 pF ± 10%
  • Tensione nominale in CC: 100 V
  • Resistenza alle sollecitazioni: 200 V (2× nominale, forma d'onda 10/1000 μs)
  • tensione di resistenza dielettrica: > 250 V DC
  • ESL del chip intrinseco: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Dimensioni del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, attaccamento a striscio eutectico


Specifiche (T = 25 °C, salvo indicazione)

Parametro Valore Condizione
Capacità 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Voltaggio nominale di corrente continua 100 V Continuo
Pressione di corrente Resistenza alla tensione 200 V (2× nominale) 10/1000 μs forma d'onda
Tensione resistente dielettrica > 250 V DC 1 minuto, 25 °C
Tipo dielettrico SiO termico2, 300 nm, amorfo ️
Substrato Zona di galleggiamento Si, > 1000 Ω·cm ️
Chip intrinseco ESL < 0,05 nH Non incorporato
Fattore Q > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz Tipico
ESR @ 1 GHz < 0,1 Ω Tipico
Fattore di dissipazione ≤ 2,5% @ 1 MHz 1.0 Vrms
Resistenza all'isolamento ≥ 104MΩ A tensione nominale.
TCC 0 ± 30 ppm/°C Da −55 °C a +125 °C
Corrente di perdita < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C a 100 V di corrente continua
Tolleranza della DSE Classe 0 HBM / Classe C2 CDM JESD22-A114 / C101
Sensibilità all'umidità MSL 1 (J-STD-020, durata illimitata del pavimento) ️
Durezza TID > 100 krad ((Si) 22900
Temperatura di funzionamento Da −55 °C a +125 °C ️
Temperatura di conservazione -65 °C a +150 °C ️
Metalizzazione superiore TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au ️
Metalizzazione sul retro TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (barriera Pt) ️
Tipo di montaggio Filtro di legame / Filtro di attacco eotttico o conduttivo ️
Forza di trazione del filo > 6 gf (25 μm di filo Au) ️
Dimensioni del chip 00,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) ️
RoHS Conformità (UE 2015/863) ️


Applicazioni tipiche

  • Avionica aerospaziale DC-link e disaggregazione del bus
  • Condizionamento dell'alimentazione via satellite e bypass di alimentazione ad alta affidabilità
  • Suppressione transitoria nei circuiti di commutazione a carico induttivo
  • Reti di bias di amplificatori di potenza RF ad alta affidabilità
  • Circuiti di raccolta di energia e scarica di impulsi in ambienti difficili


Capacitori MOS resistenti alle sovratensioni 100V mono strato 470 pF Capacitore chip per sistemi di alimentazione aerospaziale