รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิปคอนเดซิเตอร์ความอดทนต่อกระแสแรง 100 วอลต์ชั้นเดียว 470 pF สําหรับระบบพลังงานอากาศ

Name: ชิปคอนเดซิเตอร์ความอดทนต่อกระแสแรง 100 วอลต์ชั้นเดียว 470 pF สําหรับระบบพลังงานอากาศ
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S100V470
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC471S100V470
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

การทำให้เป็นโลหะด้านหลัง:

TiW-Pt-Au, >=1.0 um Au (ตัวกั้น Pt)

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดเชื่อมติดได้ / AuSn Eutectic หรือกาวอีพ็อกซี่แบบนำไฟฟ้า

แรงดึงของพันธะลวด:

>6 gf (สาย Au 25 um)

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส

อุณหภูมิในการจัดเก็บ:

-65 องศาเซลเซียส ถึง +150 องศาเซลเซียส

ขนาดชิป:

0.50 x 0.50 x 0.15 มม. (20 x 20 x 6 ล้าน)

เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS:

เป็นไปตามข้อกำหนด (EU 2015/863)

ตัวเลือกการปรับแต่ง:

ความจุไฟฟ้า 10-2000 pF, แรงดันไฟฟ้า 20-200 V, ดายทรงสี่เหลี่ยมได้ถึง 4:1, อิเล็กโทรดมีขอบ, ด้านหลังแ

เน้น:

เครื่องประปา MOS 100V

470 pF เครื่องประปาชั้นเดียว

เครื่องประปาระบบพลังงานอากาศ

คําอธิบายสินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS ทนแรงดันเกิน HACC471S100V470 — 470 pF 100 V ชิปชั้นเดียวสำหรับระบบพลังงานการบินและอวกาศ

คำจำกัดความของผลิตภัณฑ์: HACC471S100V470 เป็นตัวเก็บประจุ MOS ชั้นเดียวที่ทนแรงดันเกิน มีความจุ 470 pF ±10% และพิกัดแรงดัน DC 100 V สร้างขึ้นบนซิลิคอนแบบ float-zone ที่มีความต้านทานสูง (>1000 Ω·cm) พร้อมฉนวน SiO ความร้อน 300 nm₂ และระบบโลหะด้านบน TiW-Au / ด้านหลัง TiW-Pt-Au ในชิปขนาด 0.50 × 0.50 × 0.15 มม. ที่สามารถต่อสายได้ ออกแบบมาสำหรับวงจรพลังงานการบินและอวกาศ ดาวเทียม และวงจรความน่าเชื่อถือสูงอื่นๆ ที่ต้องทนต่อเหตุการณ์แรงดันเกินและแรงดันเกิน และยังใช้โมเดลจำลอง RF ที่แม่นยำ

ภาพรวม

ความจุ: 470 pF ±10%
พิกัดแรงดัน DC: 100 V
ทนแรงดันเกิน: 200 V (2× พิกัด, รูปคลื่น 10/1000 µs)
แรงดันไฟฟ้าฉนวนของไดอิเล็กทริก: >250 V DC
ESL ของชิปภายใน: <0.05 nH, ESR <0.1 Ω @ 1 GHz
ขนาดชิป: 0.50 × 0.50 × 0.15 มม., ต่อสายได้ / ติดตั้งแบบ eutectic

ข้อมูลจำเพาะ (T = 25 °C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

พารามิเตอร์	ค่า	เงื่อนไข
ความจุ	470 pF ±10%	1 MHz, 1.0 Vrms
พิกัดแรงดัน DC	100 V	ต่อเนื่อง
แรงดันไฟฟ้าทนแรงดันเกิน	200 V (2× พิกัด)	รูปคลื่น 10/1000 µs
แรงดันไฟฟ้าฉนวนของไดอิเล็กทริก	>250 V DC	1 นาที, 25 °C
ประเภทไดอิเล็กทริก	Thermal SiO₂, 300 nm, amorphous	—
ซับสเตรต	Float-zone Si, >1000 Ω·cm	—
ESL ของชิปภายใน	<0.05 nH	De-embedded
ปัจจัย Q	>2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz	ทั่วไป
ESR @ 1 GHz	<0.1 Ω	ทั่วไป
ปัจจัยการสูญเสีย	≤2.5% @ 1 MHz	1.0 Vrms
ความต้านทานฉนวน	≥10⁴ MΩ	ที่แรงดันพิกัด
TCC	0 ±30 ppm/°C	−55 °C ถึง +125 °C
กระแสรั่วไหล	<10 nA @ 25 °C>	ที่ 100 V DC
ความทนทานต่อ ESD	Class 0 HBM / Class C2 CDM	JESD22-A114 / C101
ความไวต่อความชื้น	MSL 1 (J-STD-020, อายุการใช้งานไม่จำกัด)	—
ความทนทานต่อ TID	>100 krad(Si)	ESCC 22900
อุณหภูมิการทำงาน	−55 °C ถึง +125 °C	—
อุณหภูมิการจัดเก็บ	−65 °C ถึง +150 °C	—
โลหะด้านบน	TiW-Au, ≥2.5 µm Au	—
โลหะด้านหลัง	TiW-Pt-Au, ≥1.0 µm Au (Pt barrier)	—
ประเภทการติดตั้ง	ต่อสายได้ / ติดตั้งแบบ AuSn eutectic หรือ conductive epoxy	—
แรงดึงลวดเชื่อม	>6 gf (25 µm Au wire)	—
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มม. (20 × 20 × 6 mil)	—
RoHS	สอดคล้อง (EU 2015/863)	—

การใช้งานทั่วไป

การแยกวงจร DC-link และบัสสำหรับระบบการบินและอวกาศ
การปรับสภาพพลังงานดาวเทียมและการบายพาสแหล่งจ่ายไฟความน่าเชื่อถือสูง
การระงับสัญญาณรบกวนชั่วคราวในวงจรการสลับโหลดแบบเหนี่ยวนำ
เครือข่ายไบแอสของแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF ความน่าเชื่อถือสูง
วงจรการเก็บเกี่ยวพลังงานและการคายประจุแบบพัลส์ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

ชิปคอนเดซิเตอร์ความอดทนต่อกระแสแรง 100 วอลต์ชั้นเดียว 470 pF สําหรับระบบพลังงานอากาศ

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS