Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Überspannungsträger MOS-Kondensatoren 100 V Einfachschicht 470 pF Kondensatorchip für Luft- und Raumfahrt-Stromsysteme

Überspannungsträger MOS-Kondensatoren 100 V Einfachschicht 470 pF Kondensatorchip für Luft- und Raumfahrt-Stromsysteme

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC471S100V470
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Rückseitenmetallisierung:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (Pt-Barriere)
Montageart:
Drahtbondbare / eutektische AuSn- oder leitfähige Epoxid-Die-Befestigung
Zugfestigkeit der Drahtverbindung:
>6 gf (25 um Au-Draht)
Betriebstemperatur:
-55 °C bis +125 °C
Lagertemperatur:
-65 °C bis +150 °C
Chipabmessungen:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Konform (EU 2015/863)
Anpassungsoptionen:
Kapazität 10–2000 pF, Nennspannung 20–200 V, rechteckiger Chip bis 4:1, umrandete Elektrode, schwimm
Hervorheben:

100 V MOS-Kondensatoren

,

470 pF Einlagekondensator

,

Kondensatoren für Luft- und Raumfahrtsysteme

Produkt-Beschreibung

Stoßfester MOS-Kondensator HACC471S100V470 — 470 pF 100 V Einzelschicht-Chip für Luft- und Raumfahrtsysteme

Produktdefinition: Der HACC471S100V470 ist ein stoßfester MOS-Kondensator mit Einzelschicht und 470 pF ±10% Kapazität und einer Nennspannung von 100 V DC. Er basiert auf hochohmigem Float-Zone-Silizium (>1000 Ω·cm) mit einem 300 nm thermischen SiO2 Dielektrikum und einem TiW-Au-Oberseite / TiW-Pt-Au-Rückseiten-Metallisierungssystem, in einem 0,50 × 0,50 × 0,15 mm drahtbondfähigen Chip. Er ist für Luft- und Raumfahrt, Satelliten und andere Hochzuverlässigkeits-Stromkreise konzipiert, die Stoß- und Überspannungsereignisse tolerieren müssen und auch genaue RF-Simulationsmodelle verwenden.


Auf einen Blick

  • Kapazität: 470 pF ±10%
  • Nennspannung DC: 100 V
  • Stoßfestigkeit: 200 V (2× Nennspannung, 10/1000 µs Wellenform)
  • Dielektrizitätsfestigkeit: >250 V DC
  • Intrinsische Chip-ESL: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Chipgröße: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, drahtbondfähig / eutektische Die-Befestigung


Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Parameter Wert Bedingung
Kapazität 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Veff
Nennspannung DC 100 V Kontinuierlich
Stoßspannungsfestigkeit 200 V (2× Nennspannung) 10/1000 µs Wellenform
Dielektrizitätsfestigkeit >250 V DC 1 min, 25 °C
Dielektrikumtyp Thermisch SiO2, 300 nm, amorph —
Substrat Float-Zone-Si, >1000 Ω·cm —
Intrinsische Chip-ESL <0,05 nH De-embedded
Gütefaktor >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz Typisch
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Typisch
Verlustfaktor ≤2,5% @ 1 MHz 1,0 Veff
Isolationswiderstand ≥104 MΩ Bei Nennspannung
TCC 0 ±30 ppm/°C −55 °C bis +125 °C
Leckstrom <10 nA @ 25 °C> Bei 100 V DC
ESD-Toleranz Klasse 0 HBM / Klasse C2 CDM JESD22-A114 / C101
Feuchtigkeitsempfindlichkeit MSL 1 (J-STD-020, unbegrenzte Lagerfähigkeit) —
TID-Härte >100 krad(Si) ESCC 22900
Betriebstemperatur −55 °C bis +125 °C —
Lagertemperatur −65 °C bis +150 °C —
Oberflächenmetallisierung TiW-Au, ≥2,5 µm Au —
Rückseitenmetallisierung TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (Pt-Barriere) —
Montagetyp Drahtbondfähig / AuSn-Eutektikum oder leitfähiger Epoxidharz-Die-Befestigung —
Drahtbond-Zugfestigkeit >6 gf (25 µm Au-Draht) —
Chip-Abmessungen 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) —
RoHS Konform (EU 2015/863) —


Typische Anwendungen

  • DC-Link- und Bus-Entkopplung in Avioniksystemen für Luft- und Raumfahrt
  • Leistungskonditionierung und Hochzuverlässigkeits-Bypass-Versorgung von Satelliten
  • Transientenunterdrückung in Schaltkreisen mit induktiver Last
  • Hochzuverlässige RF-Leistungsverstärker-Bias-Netzwerke
  • Energiegewinnungs- und Impulsentladungsschaltungen in rauen Umgebungen


Überspannungsträger MOS-Kondensatoren 100 V Einfachschicht 470 pF Kondensatorchip für Luft- und Raumfahrt-Stromsysteme