HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC471S100V470 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
제품 정의: HACC471S100V470은 470 pF ±10%의 커패시턴스와 100 V DC 정격을 갖춘 서지 내성 단일 레이어 MOS 커패시터입니다. 이 제품은 고저항 플로트 존 실리콘(>1000 Ω·cm) 위에 300 nm 두께의 열 산화 SiO2 유전체와 TiW-Au 상단 / TiW-Pt-Au 후면 금속화 시스템을 적용하여 0.50 × 0.50 × 0.15 mm 와이어 본딩 가능한 칩으로 제작되었습니다. 이 제품은 서지 및 과전압 이벤트를 견뎌야 하며 정확한 RF 시뮬레이션 모델을 사용하는 항공우주, 위성 및 기타 고신뢰성 전력 회로를 위해 설계되었습니다.
| 파라미터 | 값 | 조건 |
| 커패시턴스 | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| 정격 DC 전압 | 100 V | 연속 |
| 서지 내성 전압 | 200 V (정격의 2배) | 10/1000 μs 파형 |
| 유전체 내전압 | >250 V DC | 1분, 25 °C |
| 유전체 유형 | 열 산화 SiO2, 300 nm, 비정질 | — |
| 기판 | 플로트 존 Si, >1000 Ω·cm | — |
| 내부 칩 ESL | <0.05 nH | 디임베딩됨 |
| Q 팩터 | >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz | 일반적 |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 일반적 |
| 손실 계수 | ≤2.5% @ 1 MHz | 1.0 Vrms |
| 절연 저항 | ≥104 MΩ | 정격 전압에서 |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | −55 °C ~ +125 °C |
| 누설 전류 | <10 nA @ 25 °C> | 100 V DC에서 |
| ESD 내성 | 클래스 0 HBM / 클래스 C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| 습기 민감도 | MSL 1 (J-STD-020, 무제한 플로어 수명) | — |
| TID 내성 | >100 krad(Si) | ESCC 22900 |
| 작동 온도 | −55 °C ~ +125 °C | — |
| 보관 온도 | −65 °C ~ +150 °C | — |
| 상단 금속화 | TiW-Au, ≥2.5 μm Au | — |
| 후면 금속화 | TiW-Pt-Au, ≥1.0 μm Au (Pt 배리어) | — |
| 장착 유형 | 와이어 본딩 가능 / AuSn 공융 또는 전도성 에폭시 다이 접착 | — |
| 와이어 본드 인장 강도 | >6 gf (25 μm Au 와이어) | — |
| 칩 치수 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm (20 × 20 × 6 mil) | — |
| RoHS | 준수 (EU 2015/863) | — |
