تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

مكثفات MOS متسامحة مع التوتر 100 فولت طبقة واحدة 470 pF رقاقة مكثفة لأنظمة الطاقة الجوية والفضاء

مكثفات MOS متسامحة مع التوتر 100 فولت طبقة واحدة 470 pF رقاقة مكثفة لأنظمة الطاقة الجوية والفضاء

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC471S100V470
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
تعدين المؤخر:
TiW-Pt-Au، >=1.0 um Au (حاجز Pt)
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / AuSn سهل الانصهار أو موصل بقالب إيبوكسي موصل
قوة سحب السندات السلكية:
> 6 gf (25 سلك الاتحاد الأفريقي)
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
درجة حرارة التخزين:
-65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية
أبعاد الشريحة:
0.50 × 0.50 × 0.15 ملم (20 × 20 × 6 مل)
بنفايات:
متوافق (الاتحاد الأوروبي 863/2015)
خيارات التخصيص:
السعة 10-2000 pF، الجهد المقدر 20-200 V، قالب مستطيل يصل إلى 4:1، قطب كهربائي محاط، جانب خلفي عائم،
إبراز:

مكثفات 100 فولت MOS

,

470 pF مكثف طبقة واحدة

,

مكثفات أنظمة الطاقة الجوية والفضاء

وصف المنتج

مكثف MOS مقاوم للاندفاع HACC471S100V470 — 470 بيكوفاراد 100 فولت طبقة واحدة شريحة لأنظمة الطاقة الفضائية

تعريف المنتج:HACC471S100V470 هو مكثف MOS أحادي الطبقة مقاوم للاندفاع بسعة 470 بيكوفاراد ±10% وتصنيف جهد مستمر 100 فولت. تم بناؤه على سيليكون منطقة عائمة عالية المقاومة (>1000 Ω·cm) مع عازل SiO حراري 300 نانومتر2 ونظام معدني علوي TiW-Au / خلفي TiW-Pt-Au، في شريحة قابلة للربط بالسلك بأبعاد 0.50 × 0.50 × 0.15 مم. تم تصميمه للأنظمة الفضائية، والأقمار الصناعية، ودوائر الطاقة الأخرى عالية الموثوقية التي يجب أن تتحمل أحداث الاندفاع والجهد الزائد، وتستخدم أيضًا نماذج محاكاة RF دقيقة.


نظرة عامة

  • السعة: 470 بيكوفاراد ±10%
  • جهد التيار المستمر المقنن: 100 فولت
  • تحمل الاندفاع: 200 فولت (ضعف المقنن، شكل موجة 10/1000 µs)
  • جهد تحمل العازل: >250 فولت تيار مستمر
  • ESL داخلي للشريحة: <0.05 نانوهنري، ESR <0.1 أوم @ 1 جيجاهرتز
  • حجم الشريحة: 0.50 × 0.50 × 0.15 مم، قابلة للربط بالسلك / تثبيت الشريحة باللحام المتساوي


المواصفات (T = 25 درجة مئوية ما لم يُذكر خلاف ذلك)

المعلمة القيمة الشرط
السعة 470 بيكوفاراد ±10% 1 ميجاهرتز، 1.0 فولت ذروة فعالة
جهد التيار المستمر المقنن 100 فولت مستمر
جهد تحمل الاندفاع 200 فولت (ضعف المقنن) شكل موجة 10/1000 µs
جهد تحمل العازل >250 فولت تيار مستمر 1 دقيقة، 25 درجة مئوية
نوع العازل SiO حراري2، 300 نانومتر، غير متبلور —
الركيزة سيليكون منطقة عائمة، >1000 Ω·cm —
ESL داخلي للشريحة <0.05 نانوهنري تم فك تشابكه
عامل الجودة >2000 @ 1 ميجاهرتز / >250 @ 1 جيجاهرتز نموذجي
ESR @ 1 جيجاهرتز <0.1 أوم نموذجي
عامل التبديد ≤2.5% @ 1 ميجاهرتز 1.0 فولت ذروة فعالة
مقاومة العزل ≥104 ميجا أوم عند الجهد المقنن
TCC 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية −55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
تيار التسرب <10 nA @ 25 °C> عند 100 فولت تيار مستمر
تحمل ESD الفئة 0 HBM / الفئة C2 CDM JESD22-A114 / C101
حساسية الرطوبة MSL 1 (J-STD-020، عمر غير محدود على الرف) —
صلابة TID >100 krad(Si) ESCC 22900
درجة حرارة التشغيل −55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية —
درجة حرارة التخزين −65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية —
الطلاء المعدني العلوي TiW-Au، ≥2.5 µm Au —
الطلاء المعدني الخلفي TiW-Pt-Au، ≥1.0 µm Au (حاجز Pt) —
نوع التركيب قابل للربط بالسلك / تثبيت الشريحة باللحام المتساوي AuSn أو إيبوكسي موصل —
قوة سحب سلك الربط >6 gf (سلك Au 25 µm) —
أبعاد الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم (20 × 20 × 6 ميل) —
RoHS متوافق (الاتحاد الأوروبي 2015/863) —


التطبيقات النموذجية

  • فصل وتصفية وصلات التيار المستمر وأنظمة الطائرات الإلكترونية
  • تكييف الطاقة للأقمار الصناعية وتجاوز الإمداد عالي الموثوقية
  • قمع العابر في دوائر تبديل الحمل الاستقرائي
  • شبكات انحياز مضخمات الطاقة RF عالية الموثوقية
  • دوائر حصاد الطاقة وتفريغ النبضات في البيئات القاسية


مكثفات MOS متسامحة مع التوتر 100 فولت طبقة واحدة 470 pF رقاقة مكثفة لأنظمة الطاقة الجوية والفضاء