HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HACC471S100V470 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Ορισμός προϊόντος: Ο HACC471S100V470 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS ανθεκτικός σε υπερτάσεις με χωρητικότητα 470 pF ±10% και ονομαστική τάση 100 V DC. Είναι κατασκευασμένος σε πυρίτιο float-zone υψηλής αντίστασης (>1000 Ω·cm) με διηλεκτρικό SiO θερμικής επεξεργασίας 300 nm2 και σύστημα μεταλλώσεων TiW-Au επάνω / TiW-Pt-Au πίσω, σε τσιπ 0,50 × 0,50 × 0,15 mm κατάλληλο για συγκόλληση καλωδίου. Έχει σχεδιαστεί για αεροδιαστημικά, δορυφορικά και άλλα κυκλώματα ισχύος υψηλής αξιοπιστίας που πρέπει να αντέχουν σε γεγονότα υπερτάσεων και υπέρτασης και επίσης να χρησιμοποιούν ακριβή μοντέλα προσομοίωσης RF.
| Παράμετρος | Τιμή | Συνθήκη |
| Χωρητικότητα | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Ονομαστική τάση DC | 100 V | Συνεχής |
| Τάση αντοχής σε υπέρταση | 200 V (2× ονομαστική) | Κυματομορφή 10/1000 µs |
| Διηλεκτρική τάση αντοχής | >250 V DC | 1 λεπτό, 25 °C |
| Τύπος διηλεκτρικού | Θερμικό SiO2, 300 nm, άμορφο | — |
| Υπόστρωμα | Si float-zone, >1000 Ω·cm | — |
| Εγγενής ESL τσιπ | <0,05 nH | Απο-ενσωματωμένο |
| Συντελεστής Q | >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz | Τυπικό |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Τυπικό |
| Συντελεστής απωλειών | ≤2,5% @ 1 MHz | 1,0 Vrms |
| Αντίσταση μόνωσης | ≥104 MΩ | Στην ονομαστική τάση |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | −55 °C έως +125 °C |
| Ρεύμα διαρροής | <10 nA @ 25 °C> | Στα 100 V DC |
| Αντοχή ESD | Κλάση 0 HBM / Κλάση C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| Ευαισθησία στην υγρασία | MSL 1 (J-STD-020, απεριόριστη διάρκεια ζωής στο ράφι) | — |
| Αντοχή TID | >100 krad(Si) | ESCC 22900 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | −55 °C έως +125 °C | — |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | −65 °C έως +150 °C | — |
| Επάνω μεταλλωση | TiW-Au, ≥2,5 µm Au | — |
| Πίσω μεταλλωση | TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (φράγμα Pt) | — |
| Τύπος τοποθέτησης | Κατάλληλο για συγκόλληση καλωδίου / ευτηκτική συγκόλληση AuSn ή αγώγιμη εποξική συγκόλληση τσιπ | — |
| Αντοχή συγκόλλησης καλωδίου | >6 gf (καλώδιο Au 25 µm) | — |
| Διαστάσεις τσιπ | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | — |
| RoHS | Συμβατό (ΕΕ 2015/863) | — |
