تراکم دهنده های MOS قابل تحمل افزایش 100V تک لایه 470 pF تراکم دهنده تراشه برای سیستم های انرژی هوافضا

خازن MOS مقاوم در برابر جهش HACC471S100V470 — 470 پیکوفاراد 100 ولت تک لایه تراشه برای سیستم های قدرت هوافضا

تعریف محصول: HACC471S100V470 یک خازن MOS تک لایه مقاوم در برابر جهش با ظرفیت 470 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ نامی 100 ولت DC است. این خازن بر روی سیلیکون منطقه شناور با مقاومت بالا (>1000 Ω·cm) با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی 300 نانومتری و سیستم متالیزاسیون بالایی TiW-Au / پشتی TiW-Pt-Au ساخته شده است، در یک تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متری قابل سیم‌بندی. این خازن برای مدارهای قدرت هوافضا، ماهواره‌ای و سایر مدارهای با قابلیت اطمینان بالا طراحی شده است که باید در برابر جهش‌ها و رویدادهای ولتاژ بیش از حد مقاومت کنند و همچنین از مدل‌های شبیه‌سازی دقیق RF استفاده کنند._—ظرفیت: 470 پیکوفاراد ±10%

ولتاژ نامی DC: 100 ولت

• تحمل جهش: 200 ولت (2 برابر نامی، شکل موج 10/1000 میکروثانیه)
• ولتاژ دی‌الکتریک: >250 ولت DC
• ESL ذاتی تراشه:
• <0.05 نانو‌هانری، ESR
• <0.1 اهم @ 1 گیگاهرتزاندازه تراشه: 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر، قابل سیم‌بندی / اتصال یوتکتیکمشخصات (T = 25 درجه سانتی‌گراد مگر اینکه ذکر شده باشد)
• پارامتر

مقدار

تطبیق توان ماهواره و بای‌پس منبع تغذیه با قابلیت اطمینان بالا

• سرکوب گذرا در مدارهای سوئیچینگ بار القایی
• شبکه‌های بایاس تقویت‌کننده توان RF با قابلیت اطمینان بالا
• مدارهای برداشت انرژی و تخلیه پالس در محیط‌های خشن