HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC471S100V470 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Definicja produktu: HACC471S100V470 to jednowarstwowy kondensator MOS odporny na przepięcia o pojemności 470 pF ±10% i napięciu znamionowym 100 V DC. Jest zbudowany na krzemie typu float-zone o wysokiej rezystywności (>1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO2 o grubości 300 nm i systemie metalizacji TiW-Au na górze / TiW-Pt-Au na spodzie, w chipie o wymiarach 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, nadającym się do połączeń drutowych. Jest przeznaczony do zastosowań w lotnictwie, satelitach i innych obwodach zasilania o wysokiej niezawodności, które muszą wytrzymywać przepięcia i przetężenia, a także wykorzystywać dokładne modele symulacji RF.
| Parametr | Wartość | Warunek |
| Pojemność | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Znamionowe napięcie DC | 100 V | Ciągłe |
| Napięcie udarowe | 200 V (2× znamionowe) | przebieg 10/1000 µs |
| Napięcie przebicia dielektryka | >250 V DC | 1 min, 25 °C |
| Typ dielektryka | Termiczny SiO2, 300 nm, amorficzny | — |
| Podłoże | Krzem float-zone, >1000 Ω·cm | — |
| Wewnętrzna indukcyjność pasożytnicza chipa | <0,05 nH | Wyodrębnione |
| Współczynnik dobroci | >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz | Typowy |
| Rezystancja szeregowa @ 1 GHz | <0,1 Ω | Typowy |
| Współczynnik strat | ≤2,5% @ 1 MHz | 1,0 Vrms |
| Rezystancja izolacji | ≥104 MΩ | Przy napięciu znamionowym |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | −55 °C do +125 °C |
| Prąd upływu | <10 nA @ 25 °C> | Przy 100 V DC |
| Tolerancja ESD | Klasa 0 HBM / Klasa C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| Wrażliwość na wilgoć | MSL 1 (J-STD-020, nieograniczony czas życia na podłodze) | — |
| Odporność na promieniowanie jonizujące (TID) | >100 krad(Si) | ESCC 22900 |
| Temperatura pracy | −55 °C do +125 °C | — |
| Temperatura przechowywania | −65 °C do +150 °C | — |
| Metalizacja górna | TiW-Au, ≥2,5 µm Au | — |
| Metalizacja spodnia | TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (bariera Pt) | — |
| Typ montażu | Nadający się do połączeń drutowych / eutektyczny AuSn lub przewodzący klej do mocowania chipa | — |
| Wytrzymałość na zerwanie drutu połączeniowego | >6 gf (drut Au 25 µm) | — |
| Wymiary chipa | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | — |
| RoHS | Zgodny (UE 2015/863) | — |
