rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Kondensator MOS
Created with Pixso.

Surge Tolerant MOS Kondensator 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip Untuk Sistem Tenaga Aerospace

Surge Tolerant MOS Kondensator 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip Untuk Sistem Tenaga Aerospace

Nama Merek: Hoan
Nomor Model: HACC471S100V470
MOQ: 10 buah
Ketentuan Pembayaran: L/C,D/A,D/P,T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Shaanxi, Tiongkok
Sertifikasi:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalisasi Bagian Belakang:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (penghalang Pt)
Tipe Pemasangan:
Wire Bondable / AuSn Eutektik atau Epoxy Die Konduktif
Kekuatan Tarik Ikatan Kawat:
>6 gf (kabel Au 25 um)
Suhu Operasional:
-55 C hingga +125 C
Suhu Penyimpanan:
-65 C hingga +150 C
Dimensi Keping:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 juta)
RoHS:
Sesuai (UE 2015/863)
Opsi penyesuaian:
Kapasitansi 10-2000 pF, tegangan pengenal 20-200 V, cetakan persegi panjang hingga 4:1, elektroda be
Menyoroti:

Kondensator MOS 100V

,

470 pF Kapasitor Lembar Tunggal

,

Kondensator Sistem Tenaga Udara

Deskripsi Produk

Surge Tolerant MOS Capacitor HACC471S100V470 470 pF 100 V Single Layer Chip untuk Sistem Daya Aerospace

Definisi produk:HACC471S100V470 adalah kapasitor MOS satu lapisan yang tahan lonjakan dengan kapasitas 470 pF ± 10% dan nilai 100 V DC.Hal ini dibangun pada resistivitas tinggi float-zone silikon (> 1000 Ω · cm) dengan 300 nm termal SiO2dielektrik dan sistem metalisasi TiW-Au top / TiW-Pt-Au backside, dalam chip kawat-bondable 0,50 × 0,50 × 0,15 mm.dan sirkuit daya keandalan tinggi lainnya yang harus mentolerir lonjakan dan kejadian overvoltage dan juga menggunakan model simulasi RF yang akurat.


Sekilas

  • Kapasitas: 470 pF ±10%
  • Tegangan DC nominal: 100 V
  • Tahan tegangan: 200 V (2× nominal, bentuk gelombang 10/1000 μs)
  • Tegangan tahan dielektrik: > 250 V DC
  • ESL chip intrinsik: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Ukuran chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, kawat-bondable / eutectic die attach


Spesifikasi (T = 25 °C kecuali dinyatakan)

Parameter Nilai Kondisi
Kapasitas 470 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Tegangan DC nominal 100 V Berkelanjutan
Tambahan tegangan Tahan tegangan 200 V (2× nominal) Bentuk gelombang 10/1000 μs
Tegangan Tahan Dielektrik > 250 V DC 1 menit, 25 °C
Jenis Dielektrik SiO termal2, 300 nm, amorf ️
Substrat Zona terapung Si, > 1000 Ω·cm ️
Chip intrinsik ESL < 0,05 nH Tidak tertanam
Faktor Q > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz Tipikal
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Tipikal
Faktor Dissipasi ≤2,5% @ 1 MHz 1.0 Vrms
Resistensi Isolasi ≥ 104MΩ Pada tegangan nominal
TCC 0 ± 30 ppm/°C -55 °C sampai +125 °C
Arus kebocoran < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C Pada 100 V DC
Toleransi ESD Kelas 0 HBM / Kelas C2 CDM JESD22-A114 / C101
Sensitivitas terhadap Kelembaban MSL 1 (J-STD-020, jangka waktu lantai tak terbatas) ️
Kekerasan TID > 100 krad ((Si) ESCC 22900
Suhu operasi -55 °C sampai +125 °C ️
Suhu penyimpanan -65 °C sampai +150 °C ️
Metalisasi Atas TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au ️
Metalisasi Bagian Belakang TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (penghalang Pt) ️
Tipe pemasangan Wire bondable / AuSn eutectic atau konduktif epoxy die attach ️
Kekuatan Tarik Ikatan Kawat > 6 gf (25 μm Au wire) ️
Dimensi Chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) ️
RoHS Persetujuan (EU 2015/863) ️


Aplikasi Tipikal

  • Aerospace avionics DC-link dan bus decoupling
  • Kondisi daya satelit dan bypass pasokan yang sangat andal
  • Penekanan sementara dalam sirkuit switching beban induktif
  • Jaringan bias amplifier daya RF yang handal
  • Sirkuit pengumpulan energi dan debit pulsa di lingkungan yang keras


Surge Tolerant MOS Kondensator 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip Untuk Sistem Tenaga Aerospace