detalhes dos produtos

Created with Pixso. Casa Created with Pixso. Produtos Created with Pixso.
Capacitores MOS
Created with Pixso.

Capacitores MOS Tolerantes a Surtos 100V Camada Única 470 pF Chip Capacitor para Sistemas de Energia Aeroespacial

Capacitores MOS Tolerantes a Surtos 100V Camada Única 470 pF Chip Capacitor para Sistemas de Energia Aeroespacial

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC471S100V470
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalização traseira:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (barreira Pt)
Tipo de montagem:
Fixação de matriz epóxi eutética ou condutora de fio ligável / AuSn
Força de tração da ligação do fio:
>6 gf (fio Au de 25 um)
Temperatura operacional:
-55ºC a +125ºC
Temperatura de armazenamento:
-65 C a +150 C
Dimensões do chip:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Em conformidade (UE 2015/863)
Opções de personalização:
Capacitância 10-2000 pF, tensão nominal 20-200 V, matriz retangular até 4:1, eletrodo com borda, par
Destacar:

Capacitores MOS 100V

,

Capacitor de Camada Única 470 pF

,

Capacitores para Sistemas de Energia Aeroespacial

Descrição do produto

Capacitor MOS com tolerância a sobretensão HACC471S100V470 ?? 470 pF 100 V Chip de camada única para sistemas de energia aeroespacial

Definição do produto:O HACC471S100V470 é um condensador MOS de camada única resistente a sobretensão com 470 pF ± 10% de capacidade e uma classificação de 100 V DC.É construído sobre silício de zona flutuante de alta resistividade (> 1000 Ω·cm) com um SiO térmico de 300 nm2um sistema de metallização dieléctrica e um sistema de metalização superior/posterior TiW-Au/TiW-Pt-Au, num chip ligável por fio de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm.e outros circuitos de alimentação de alta fiabilidade que devem tolerar eventos de aumento e sobrevoltagem e também usar modelos de simulação de RF precisos.


De um olhar

  • Capacidade: 470 pF ± 10%
  • Tensão nominal de CC: 100 V
  • Resistência à tensão: 200 V (2× nominal, forma de onda de 10/1000 μs)
  • Voltagem de resistência dielétrica: > 250 V CC
  • ESL do chip intrínseco: < 0,05 nH, ESR < 0,1 Ω @ 1 GHz
  • Tamanho do chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, ligável por fio / eutectic die attach


Especificações (T = 25 °C, salvo indicação)

Parâmetro Valor Condição
Capacidade 470 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Tensão nominal de CC 100 V Contínuo
Tensão resistente à tensão 200 V (2× nominal) Forma de onda 10/1000 μs
Voltagem resistente dielétrica > 250 V DC 1 minuto, 25 °C
Tipo dieléctrico SiO térmico2, 300 nm, amorfo - Não.
Substrato Zona de flutuação Si, > 1000 Ω·cm - Não.
Chip intrínseco ESL < 0,05 nH Desintegrado
Fator Q > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz Tipico
ESR @ 1 GHz < 0,1 Ω Tipico
Fator de dissipação ≤ 2,5% @ 1 MHz 1.0 Vrms
Resistência ao isolamento ≥ 104MΩ A tensão nominal
TCC 0 ± 30 ppm/°C -55 °C a +125 °C
Corrente de vazamento < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C A 100 V DC
Tolerância à DSE Classe 0 HBM / Classe C2 CDM JESD22-A114 / C101
Sensibilidade à umidade MSL 1 (J-STD-020, duração do piso ilimitada) - Não.
Dureza TID > 100 krad ((Si) ESCC 22900
Temperatura de funcionamento -55 °C a +125 °C - Não.
Temperatura de armazenamento -65 °C a +150 °C - Não.
Metalização superior TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au - Não.
Metalização por trás TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (barreira Pt) - Não.
Tipo de montagem Fios ligáveis / Fios eutecticos ou condutores - Não.
Força de tração do fio > 6 gf (25 μm de fio Au) - Não.
Dimensões do chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) - Não.
RoHS Conformidade (UE 2015/863) - Não.


Aplicações típicas

  • Aviônica aeroespacial DC-link e desacoplagem de autocarro
  • Condicionamento de energia por satélite e desvio de alimentação de alta fiabilidade
  • Supressão transitória em circuitos de comutação de carga indutiva
  • Redes de distorção de amplificadores de potência de RF de alta fiabilidade
  • Circuitos de captação de energia e descarga de pulso em ambientes adversos


Capacitores MOS Tolerantes a Surtos 100V Camada Única 470 pF Chip Capacitor para Sistemas de Energia Aeroespacial