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| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC471S100V470 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | LC, D/A, D/P, T/T |
Definición del producto:El HACC471S100V470 es un condensador MOS de una sola capa resistente a sobretensiones con una capacidad de 470 pF ± 10% y una potencia de 100 V de CC.Está construido sobre silicio de zona flotante de alta resistividad (> 1000 Ω · cm) con un SiO térmico de 300 nm2un sistema dieléctrico y un sistema de metalización de TiW-Au superior / TiW-Pt-Au posterior, en un chip de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm. Está diseñado para la industria aeroespacial, el satélite,y otros circuitos de alimentación de alta fiabilidad que deben tolerar eventos de sobretensiones y sobrevoltuaciones y también utilizar modelos de simulación de RF precisos.
| Parámetro | Valor | Condición |
| Capacidad | 470 pF ± 10% | 1 MHz, 1,0 Vrs |
| Voltagem nominal de corriente continua | Las demás: | Continuidad |
| Superación de tensión | 200 V (2 veces el valor nominal) | Forma de onda de 10/1000 μs |
| Válvula de resistencia dieléctrica | > 250 V de CC | 1 minuto, 25 °C |
| Tipo dieléctrico | SiO térmico2, 300 nm, amorfo | ¿Qué quieres decir? |
| Substrato | Zona flotante Si, > 1000 Ω·cm | ¿Qué quieres decir? |
| Chip intrínseco ESL | < 0,05 nH | Desincorporado |
| Factor Q | Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones. | Típico |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Típico |
| Factor de disipación | ≤ 2,5% @ 1 MHz | 1.0 Vrms |
| Resistencia al aislamiento | ≥ 10 años4MΩ | En tensión nominal |
| El TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55 °C a +125 °C |
| Corriente de fuga | La temperatura máxima de los gases de efecto invernadero es de 30 °C. | A 100 V de corriente continua |
| Tolerancia de la DSE | Clase 0 HBM / Clase C2 CDM | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Sensibilidad a la humedad | La duración de las pruebas de ensayo no se limitará a un período de tres años. | ¿Qué quieres decir? |
| Dureza TID | > 100 krad (Si) | Las condiciones de los contratos |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C a +125 °C | ¿Qué quieres decir? |
| Temperatura de almacenamiento | -65 °C a +150 °C | ¿Qué quieres decir? |
| Metalización superior | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | ¿Qué quieres decir? |
| Metalización en el reverso | TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (barrera Pt) | ¿Qué quieres decir? |
| Tipo de montaje | Acoplamiento de alambre / Acoplamiento eutectico o conductor de epoxi | ¿Qué quieres decir? |
| Fuerza de tracción de la unión de alambre | > 6 gf (25 μm de alambre Au) | ¿Qué quieres decir? |
| Dimensiones del chip | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | ¿Qué quieres decir? |
| RoHS | Conformidad (UE 2015/863) | ¿Qué quieres decir? |
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