| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HACC471S100V470 |
| Adedi: | 10 Adet |
| Ödeme Koşulları: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Ürün tanımı: HACC471S100V470, %470 ±%10 kapasitans ve 100 V DC derecelendirmesine sahip, dalgalanmaya dayanıklı tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Yüksek dirençli akışkan zonlu silikon (>1000 Ω·cm) üzerine 300 nm termal SiO2 dielektrik ve TiW-Au üst / TiW-Pt-Au arka metalizasyon sistemi ile 0,50 × 0,50 × 0,15 mm tel bağlanabilir çip üzerine inşa edilmiştir. Havacılık, uydu ve dalgalanma ve aşırı voltaj olaylarına tolerans göstermesi gereken diğer yüksek güvenilirlikli güç devreleri için tasarlanmıştır ve ayrıca doğru RF simülasyon modelleri kullanır.
| Parametre | Değer | Koşul |
| Kapasitans | 470 pF ±%10 | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Anma DC Voltajı | 100 V | Sürekli |
| Dalgalanma Dayanım Voltajı | 200 V (anma değerinin 2 katı) | 10/1000 µs dalga formu |
| Dielektrik Dayanım Voltajı | >250 V DC | 1 dakika, 25 °C |
| Dielektrik Tipi | Termal SiO2, 300 nm, amorf | — |
| Alt Katman | Akışkan zonlu Si, >1000 Ω·cm | — |
| Girişimsel Çip ESL | <0,05 nH | Giderilmiş |
| Q Faktörü | >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz | Tipik |
| 1 GHz'de ESR | <0,1 Ω | Tipik |
| Dağılım Faktörü | ≤%2,5 @ 1 MHz | 1,0 Vrms |
| İzolasyon Direnci | ≥104 MΩ | Anma voltajında |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | −55 °C ila +125 °C |
| Kaçak Akım | <10 nA @ 25 °C> | 100 V DC'de |
| ESD Toleransı | Sınıf 0 HBM / Sınıf C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| Nem Hassasiyeti | MSL 1 (J-STD-020, sınırsız zemin ömrü) | — |
| TID Sertliği | >100 krad(Si) | ESCC 22900 |
| Çalışma Sıcaklığı | −55 °C ila +125 °C | — |
| Depolama Sıcaklığı | −65 °C ila +150 °C | — |
| Üst Metalizasyon | TiW-Au, ≥2,5 µm Au | — |
| Arka Metalizasyon | TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (Pt bariyeri) | — |
| Montaj Tipi | Tel bağlanabilir / AuSn ötektik veya iletken epoksi die yapıştırma | — |
| Tel Bağlantı Çekme Dayanımı | >6 gf (25 µm Au tel) | — |
| Çip Boyutları | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | — |
| RoHS | Uyumlu (AB 2015/863) | — |
![]()