Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Hava Kuvvetleri Güç Sistemleri için Dalgalanmaya Dayanıklı MOS Kapasitörler 100V Tek Katmanlı 470 pF Kapasitör Çip

Hava Kuvvetleri Güç Sistemleri için Dalgalanmaya Dayanıklı MOS Kapasitörler 100V Tek Katmanlı 470 pF Kapasitör Çip

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC471S100V470
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: L/C,D/A,D/P,T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS
Arka Taraf Metalizasyonu:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (Pt bariyeri)
Montaj Tipi:
Tel Bağlanabilir / AuSn Ötektik veya İletken Epoksi Kalıp Bağlantısı
Tel Bağ Çekme Dayanımı:
>6 gf (25 um Au tel)
Çalışma Sıcaklığı:
-55 C ila +125 C
Depolama Sıcaklığı:
-65 C ila +150 C
Çip Boyutları:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Uyumlu (AB 2015/863)
Özelleştirme seçenekleri:
Kapasitans 10-2000 pF, nominal voltaj 20-200 V, 4:1'e kadar dikdörtgen kalıp, kenarlı elektrot,
Vurgulamak:

100V MOS Kapasitörler

,

470 pF Tek Katmanlı Kapasitör

,

Hava Kuvvetleri Güç Sistemi Kapasitörleri

Ürün Tanımı

Surge Tolerant MOS Kapasitör HACC471S100V470 — 470 pF 100 V Tek Katmanlı Çip, Havacılık Güç Sistemleri İçin

Ürün tanımı: HACC471S100V470, %470 ±%10 kapasitans ve 100 V DC derecelendirmesine sahip, dalgalanmaya dayanıklı tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Yüksek dirençli akışkan zonlu silikon (>1000 Ω·cm) üzerine 300 nm termal SiO2 dielektrik ve TiW-Au üst / TiW-Pt-Au arka metalizasyon sistemi ile 0,50 × 0,50 × 0,15 mm tel bağlanabilir çip üzerine inşa edilmiştir. Havacılık, uydu ve dalgalanma ve aşırı voltaj olaylarına tolerans göstermesi gereken diğer yüksek güvenilirlikli güç devreleri için tasarlanmıştır ve ayrıca doğru RF simülasyon modelleri kullanır.


Bir Bakışta

  • Kapasitans: 470 pF ±%10
  • Anma DC voltajı: 100 V
  • Dalgalanma dayanımı: 200 V (anma değerinin 2 katı, 10/1000 µs dalga formu)
  • Dielektrik dayanım voltajı: >250 V DC
  • Girişimsel çip ESL: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Çip boyutu: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, tel bağlanabilir / ötektik die yapıştırma


Özellikler (T = 25 °C, aksi belirtilmedikçe)

Parametre Değer Koşul
Kapasitans 470 pF ±%10 1 MHz, 1,0 Vrms
Anma DC Voltajı 100 V Sürekli
Dalgalanma Dayanım Voltajı 200 V (anma değerinin 2 katı) 10/1000 µs dalga formu
Dielektrik Dayanım Voltajı >250 V DC 1 dakika, 25 °C
Dielektrik Tipi Termal SiO2, 300 nm, amorf —
Alt Katman Akışkan zonlu Si, >1000 Ω·cm —
Girişimsel Çip ESL <0,05 nH Giderilmiş
Q Faktörü >2000 @ 1 MHz / >250 @ 1 GHz Tipik
1 GHz'de ESR <0,1 Ω Tipik
Dağılım Faktörü ≤%2,5 @ 1 MHz 1,0 Vrms
İzolasyon Direnci ≥104 MΩ Anma voltajında
TCC 0 ±30 ppm/°C −55 °C ila +125 °C
Kaçak Akım <10 nA @ 25 °C> 100 V DC'de
ESD Toleransı Sınıf 0 HBM / Sınıf C2 CDM JESD22-A114 / C101
Nem Hassasiyeti MSL 1 (J-STD-020, sınırsız zemin ömrü) —
TID Sertliği >100 krad(Si) ESCC 22900
Çalışma Sıcaklığı −55 °C ila +125 °C —
Depolama Sıcaklığı −65 °C ila +150 °C —
Üst Metalizasyon TiW-Au, ≥2,5 µm Au —
Arka Metalizasyon TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (Pt bariyeri) —
Montaj Tipi Tel bağlanabilir / AuSn ötektik veya iletken epoksi die yapıştırma —
Tel Bağlantı Çekme Dayanımı >6 gf (25 µm Au tel) —
Çip Boyutları 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) —
RoHS Uyumlu (AB 2015/863) —


Tipik Uygulamalar

  • Havacılık aviyonik DC-link ve veriyolu ayrıştırması
  • Uydu güç koşullandırma ve yüksek güvenilirlikli besleme baypası
  • Endüktif yük anahtarlama devrelerinde geçici bastırma
  • Yüksek güvenilirlikli RF güç amplifikatörü önyükleme ağları
  • Zorlu ortamlarda enerji hasadı ve darbe deşarj devreleri


Hava Kuvvetleri Güç Sistemleri için Dalgalanmaya Dayanıklı MOS Kapasitörler 100V Tek Katmanlı 470 pF Kapasitör Çip