HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАКС471С100В470 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т |
Определение продукта: HACC471S100V470 — это однослойный конденсатор MOS с устойчивостью к перенапряжению, емкостью 470 пФ ±10% и номинальным напряжением 100 В постоянного тока. Он изготовлен на основе кремния с высокой удельной проводимостью, выращенного методом зонной плавки (>1000 Ом·см), с диэлектриком из термического SiO2 толщиной 300 нм и системой металлизации TiW-Au сверху / TiW-Pt-Au снизу, в виде чипа размером 0,50 × 0,50 × 0,15 мм, пригодного для проволочного монтажа. Он предназначен для аэрокосмических, спутниковых и других высоконадежных силовых цепей, которые должны выдерживать скачки напряжения и перенапряжения, а также использовать точные модели радиочастотного моделирования.
| Параметр | Значение | Условие |
| Емкость | 470 пФ ±10% | 1 МГц, 1,0 В среднеквадр. |
| Номинальное напряжение постоянного тока | 100 В | Непрерывное |
| Напряжение устойчивости к перенапряжению | 200 В (в 2 раза выше номинального) | Форма волны 10/1000 мкс |
| Диэлектрическая прочность | >250 В постоянного тока | 1 мин, 25 °C |
| Тип диэлектрика | Термический SiO2, 300 нм, аморфный | — |
| Подложка | Кремний, выращенный методом зонной плавки, >1000 Ом·см | — |
| Собственная индуктивность чипа ESL | <0,05 нГн | Де-эмбеддинг |
| Коэффициент добротности | >2000 при 1 МГц / >250 при 1 ГГц | Типичное значение |
| ESR при 1 ГГц | <0,1 Ом | Типичное значение |
| Коэффициент потерь | ≤2,5% при 1 МГц | 1,0 В среднеквадр. |
| Сопротивление изоляции | ≥104 МОм | При номинальном напряжении |
| ТКК | 0 ±30 ppm/°C | −55 °C до +125 °C |
| Ток утечки | <10 nA @ 25 °C> | При 100 В постоянного тока |
| Устойчивость к электростатическому разряду | Класс 0 HBM / Класс C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| Влагочувствительность | MSL 1 (J-STD-020, неограниченный срок хранения на плате) | — |
| Радиационная стойкость (TID) | >100 крад(Si) | ESCC 22900 |
| Рабочая температура | −55 °C до +125 °C | — |
| Температура хранения | −65 °C до +150 °C | — |
| Верхняя металлизация | TiW-Au, ≥2,5 мкм Au | — |
| Нижняя металлизация | TiW-Pt-Au, ≥1,0 мкм Au (Pt барьер) | — |
| Тип монтажа | Пригодный для проволочного монтажа / эвтектическое крепление AuSn или проводящий эпоксидный клей | — |
| Прочность на разрыв проволочного соединения | >6 гс (25 мкм проволока Au) | — |
| Размеры чипа | 0,50 × 0,50 × 0,15 мм (20 × 20 × 6 мил) | — |
| RoHS | Соответствует (EU 2015/863) | — |
